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[行業(yè)動(dòng)態(tài)]碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，在此背景下第三代半導(dǎo)體應(yīng)運(yùn)而生。SiC作為第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能，相比于前兩代半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)，已成為目前應(yīng)用最廣、市占率最高的第三代半導(dǎo)體材料。碳化硅器件相較于硅基器件，具有優(yōu)越的電氣性能，如耐高壓、耐高溫和低損耗。隨著新能源汽車滲透率不斷提升，疊加800V高壓平臺(tái)的逐步實(shí)現(xiàn)，SiC器件市場(chǎng)將高速增長(zhǎng)。

2023-05-24 http://xphdx.cn/Article/tanhuaguigonglvqijia.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]碳化硅行業(yè)研究：把握能源升級(jí)+技術(shù)迭代的成長(zhǎng)機(jī)遇

下一代功率器件關(guān)鍵技術(shù)：碳化硅近年來，隨著 5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長(zhǎng)，硅基半導(dǎo)體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時(shí)限制體積、發(fā)熱和成本的快速膨脹成為了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)重點(diǎn)關(guān)注的問題，以碳化硅為首的第三代半導(dǎo)體材料在這一趨勢(shì)下逐漸從科研走向產(chǎn)業(yè)化。與硅基半導(dǎo)體材料相比，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力等特點(diǎn)，適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。具體優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在：（1）能量損耗低。碳化硅模塊的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗顯著低于同等 IGBT 模塊，且隨著開關(guān)頻率的提高，與 IGBT 模塊的損耗差越大，碳化硅模塊在降低損耗的同時(shí)可以實(shí)現(xiàn) 高速開關(guān)，有助于降低電池用量，提高續(xù)航里程，解決新能源汽車痛點(diǎn)；（2）更小的封

2023-03-13 http://xphdx.cn/Article/tanhuaguixingyeyanji.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]分析氮化硅陶瓷基板被應(yīng)用到新能源汽車的緣由

分析氮化硅陶瓷基板被應(yīng)用到新能源汽車的緣由新能源汽車對(duì)陶瓷散熱基板有更高的要求目前，對(duì)保護(hù)環(huán)境和節(jié)約能源的呼聲高漲，使得國內(nèi)的新能源電動(dòng)汽車倍受關(guān)注。大功率封裝器件在調(diào)控汽車速度和儲(chǔ)存-轉(zhuǎn)換交流和直流上發(fā)揮著決定性作用。而高頻率的熱循環(huán)對(duì)電子封裝的散熱提出了嚴(yán)格的要求，同時(shí)工作環(huán)境的復(fù)雜性和多元性需要封裝材料具有較好的抗熱震性和高強(qiáng)度來起到支撐作用。此外，隨著以高電壓、大電流和高頻化為主要特征的現(xiàn)代電力電子技術(shù)的高速發(fā)展，應(yīng)用于該技術(shù)的功率模塊散熱效率更成為了關(guān)鍵。電子封裝系統(tǒng)中的陶瓷基板材料是高效散熱的關(guān)鍵，同時(shí)為了應(yīng)對(duì)工作環(huán)境的復(fù)雜化也應(yīng)具有高強(qiáng)度和高可靠性。各大主流陶瓷基板材料分析-氮化硅陶瓷基板是新能源汽車基板首選：近年來已經(jīng)大規(guī)模生產(chǎn)、應(yīng)用較為廣泛的陶瓷基板主要有：Al2O3

2022-05-04 http://xphdx.cn/Article/fenxidanhuaguitaocijb.html
[常見問題]碳化硅基和AlN基覆銅板差異

碳化硅基和AlN基覆銅板差異特斯拉在電驅(qū)主逆變器采用的是意法半導(dǎo)體供應(yīng)的650V SiC MOSFET器件，這在2018是風(fēng)向標(biāo)實(shí)踐。SiC基板有什么優(yōu)勢(shì)和AIN基覆銅板有什么差異？一，碳化硅基覆銅板的優(yōu)越性以及與AIN基覆銅板的特性對(duì)比碳化硅SiC是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低電子設(shè)備的能耗，因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”。碳化硅SiC相對(duì)AIN基覆銅板的優(yōu)異特性：如圖對(duì)比碳化硅的禁帶寬度大約為 3.2eV，硅的寬帶寬度為 1.12eV，碳化硅的禁帶寬度大約為硅的3倍數(shù)，這說明碳化硅的耐高壓性能顯著好于硅材料。此外，導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；電子飽和漂移速率為硅的2倍。這些特性將使得碳化硅特別適于制造

2022-01-17 http://xphdx.cn/Article/tanhuaguijiheAlNjifu.html

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