[常見問題]碳化硅基和AlN基覆銅板差異

碳化硅基和AlN基覆銅板差異特斯拉在 電驅(qū)主逆變器采用的是意法半導(dǎo)體供應(yīng)的650V SiC MOSFET器件，這在2018是風(fēng)向標(biāo)實(shí)踐。SiC基板有什么優(yōu)勢(shì)和AIN基覆銅板有什么差異？一，碳化硅基覆銅板的優(yōu)越性以及與AIN基覆銅板的特性對(duì)比碳化硅SiC是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場(chǎng)合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低電子設(shè)備的能耗，因此碳化硅器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源器件”。碳化硅SiC相對(duì)AIN基覆銅板的優(yōu)異特性：如圖對(duì)比碳化硅的禁帶寬度大約為 3.2eV，硅的寬帶寬度為 1.12eV，碳化硅的禁帶寬度大約為硅的3倍數(shù)，這說明碳化硅的耐高壓性能顯著好于硅材料。此外，導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；電子飽和漂移速率為硅的2倍。這些特性將使得碳化硅特別適于制造

2022-01-17 http://xphdx.cn/Article/tanhuaguijiheAlNjifu.html