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[行業(yè)動態(tài)]AMB與DBA的母工藝——DBC 直接覆銅陶瓷基板工藝

隨著電子設(shè)備的不斷進(jìn)步，芯片集成度的提升和電路設(shè)計(jì)的緊湊，使得單位面積的功耗顯著增加，導(dǎo)致熱量積累。這不僅影響設(shè)備性能，還可能導(dǎo)致組件故障。在這種背景下，直接覆銅（DBC）陶瓷基板憑借出色的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能，成為重要的電子封裝材料，廣泛應(yīng)用于功率模塊和集成電力電子模塊。

2024-10-16 http://xphdx.cn/Article/AMByuDBAdemugongyiDB.html
[行業(yè)動態(tài)]高壓大功率IGBT模塊首選封裝材料——AMB陶瓷基板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型復(fù)合功率器件，具有輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點(diǎn)，大規(guī)模應(yīng)用于電動汽車、電力機(jī)車?yán)锏碾姍C(jī)驅(qū)動以及并網(wǎng)技術(shù)、儲能電站、工業(yè)領(lǐng)域的高壓大電流場合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻控制等領(lǐng)域，是電力電子領(lǐng)域中最重要的大功率器件，是綠色經(jīng)濟(jì)的核“芯”。

2024-03-18 http://xphdx.cn/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行業(yè)動態(tài)]銀銅鈦 (AgCuTi) 為何在IGBT上應(yīng)用

隨著我國新能源汽車、高鐵、城市軌道交通以及智能電網(wǎng)的高速發(fā)展，對高壓大功率IGBT模塊的需求日益增長。相較于其他應(yīng)用領(lǐng)域，車規(guī)級 IGBT模塊對產(chǎn)品安全、可靠性提出耐高溫、散熱性優(yōu)、工作溫度范圍廣、使用壽命長等更高要求。據(jù)報(bào)道，約70%的IGBT模塊失效歸因于散熱不良引起的鍵合線剝離或熔斷。芯片的散熱主要通過IGBT模塊中的陶瓷基板來實(shí)現(xiàn)，其作用是吸收芯片的產(chǎn)熱并傳導(dǎo)至熱沉上，從而實(shí)現(xiàn)芯片與外界之間的熱交換。閱讀本文前，歡迎識別二維碼加入艾邦I(lǐng)GBT/SiC產(chǎn)業(yè)鏈交流群。

2024-03-11 http://xphdx.cn/Article/yintong(AgCuTi)weihe.html
[行業(yè)動態(tài)]6種常見的陶瓷與金屬的連接方法，誰能稱霸半導(dǎo)體封裝市場？

陶瓷與金屬封接，最大難點(diǎn)是陶瓷和金屬的熱膨脹系數(shù)相差較大，使得連接完成后的封接界面處會產(chǎn)生較大殘余應(yīng)力，這不僅會降低接頭強(qiáng)度，也會影響金屬對陶瓷表面的潤濕效果。

2024-01-10 http://xphdx.cn/Article/6zhongchangjiandetao.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB活性金屬釬焊法，陶瓷與金屬的完美結(jié)合

相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢；此外，因其加工過程能在一次升溫中完成，操作簡便、時(shí)間周期短、封接性能好并且對陶瓷的適用范圍廣，所以該工藝在國內(nèi)外發(fā)展較快，成為了電子器件中常用的一種方法。

2023-12-11 http://xphdx.cn/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時(shí)有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-11-15 http://xphdx.cn/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的市場規(guī)模和應(yīng)用發(fā)展

目前，國內(nèi)常用陶瓷基板材料主要為Al2O3、AlN和Si3N4。無論哪種材料的陶瓷基板，在燒結(jié)成型之后，需對其表面實(shí)施金屬化，然后通過影像轉(zhuǎn)移的方法完成表面圖形的制作，以實(shí)現(xiàn)陶瓷基板的電氣連接性能。金屬化陶瓷基板按照工藝主要分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。氧化鋁陶瓷基板主要采用DBC、DPC工藝，氮化鋁陶瓷基板主要采用DBC和AMB工藝，氮化硅陶瓷基板主要采用AMB工藝

2023-10-27 http://xphdx.cn/Article/taocijibanpcb.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板市場預(yù)計(jì)未來3年大增94.27%，國產(chǎn)化需求強(qiáng)烈

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復(fù)合基板具有優(yōu)良電絕緣性能，高導(dǎo)熱特性，優(yōu)異的軟釬焊性和高的附著強(qiáng)度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。因此，陶瓷基板已成為大功率電力電子電路結(jié)構(gòu)技術(shù)和互連技術(shù)的基礎(chǔ)材料。

2023-10-09 http://xphdx.cn/Article/taocijibanshichangyu.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開分析，著重對不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠性進(jìn)行研究。通過對比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強(qiáng)度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強(qiáng)度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達(dá)到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測試7萬次，滿足IGBT模塊對陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://xphdx.cn/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行業(yè)動態(tài)]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲，電力輸送，電動汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時(shí)有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會受到影響，嚴(yán)重的話，功率電子器件本身會被破損。這就要求擔(dān)負(fù)絕緣和散熱功能的陶瓷基板必須具備卓越的機(jī)械性能和導(dǎo)熱性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高導(dǎo)熱性、抗熱震性及在高溫中良好的機(jī)械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板備受矚目。

2023-08-28 http://xphdx.cn/Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板助力高功率器件散熱消暑

電路板被很多人譽(yù)為電子產(chǎn)品之母，它是計(jì)算機(jī)、手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，在醫(yī)療、航空、新能源、汽車等行業(yè)有著廣泛應(yīng)用。縱觀全球技術(shù)發(fā)展簡史，每一次技術(shù)進(jìn)步都直接或間接影響著全人類。在電路板誕生之前，電子設(shè)備都包含許多電線，它們不僅會糾纏在一起，占用大量空間，而且短路的情況也不罕見。這個(gè)問題對于電路相關(guān)的工作人員來說是個(gè)非常頭疼的問題。1925年，來自美國的Charles Ducas提出了一個(gè)前所未有的想法，即在絕緣基板上印刷電路圖案，隨后進(jìn)行電鍍以制造用于布線的導(dǎo)體，專業(yè)術(shù)語“PCB”由此而來，這種方法使制造電器電路變得更為簡單。

2023-08-25 http://xphdx.cn/Article/taocijibanzhuligaogo.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊用DBC基板的設(shè)計(jì)

DBC 陶瓷基板的發(fā)展、工藝原理、性能及應(yīng)用。由于DBC基板的各種優(yōu)良性能，DBC被廣泛應(yīng)用于各型IGBT模塊中，采用DBC基板的IGBT模塊具有更好的熱疲勞穩(wěn)定性和更高的集成度。

2023-08-21 http://xphdx.cn/Article/IGBTmokuaiyongDBCjib.html
[行業(yè)動態(tài)]一文了解 IGBT 模塊封裝用陶瓷襯板技術(shù)

IGBT 是電力電子變換中的核心元器件，以低電壓控制大功率電路的斷開與導(dǎo)通，廣泛應(yīng)用于軌道交通、新能源汽車、軍工航天、工業(yè)機(jī)器等領(lǐng)域。隨著我國高鐵、航空航天、混合動力汽車的飛速發(fā)展， IGBT 模塊需要更高的可靠性、更快的開關(guān)轉(zhuǎn)換速度、更低的能量損耗等，因此，需要高可靠性的封裝技術(shù)使芯片的優(yōu)勢能夠完全發(fā)揮出來。其中，IGBT 封裝用散熱基板在封裝時(shí)起著機(jī)械互連和電氣導(dǎo)通的作用，是高可靠性封裝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。

2023-08-14 http://xphdx.cn/Article/yiwenliaojieIGBTmoku.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板：高端IGBT模塊基板的應(yīng)用新趨勢

IGBT陶瓷襯板屬于新的工藝技術(shù)，其中AMB工藝技術(shù)的陶瓷襯板也逐步應(yīng)用于新能源汽車的IGBT模塊上。IGBT散熱對于功率模塊的性能是非常重要的，目前國內(nèi)的IGBT模塊大部分還是采用DBC工藝，但隨著工作電壓、性能要求的不斷提升，AMB工藝技術(shù)的陶瓷基板能更好地解決上述痛點(diǎn)。

2023-08-02 http://xphdx.cn/Article/AMBtaocijibangaoduan.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板的現(xiàn)狀及發(fā)展淺析

陶瓷材料在電子工業(yè)中扮演著重要的角色，其電阻高，高頻特性突出，且具有熱導(dǎo)率高、化學(xué)穩(wěn)定性佳、熱穩(wěn)定性和熔點(diǎn)高等優(yōu)點(diǎn)。在電子線路的設(shè)計(jì)和制造非常需要這些的性能，因此陶瓷被廣泛用于不同厚膜、薄膜或和電路的基板材料，還可以用作絕緣體，在熱性能要求苛刻的電路中做導(dǎo)熱通路以及用來制造各種電子元件，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子與多芯片模塊等領(lǐng)域。

2023-07-28 http://xphdx.cn/Article/taocijibandexianzhua.html
[行業(yè)動態(tài)]2023年AMB陶瓷基板實(shí)力企業(yè)榜單

近幾年來，在新能源汽車市場暴增刺激下，碳化硅模塊上車的進(jìn)程大幅超過市場預(yù)期，AMB陶瓷基板優(yōu)異導(dǎo)熱和抗彎性能已經(jīng)成為SiC芯片最佳封裝材料。根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模從2016年的約10億美元增長到2020年的約15億美元，年復(fù)合增長率為7.5%左右。預(yù)計(jì)到2025年，全球AMB覆銅陶瓷基板市場規(guī)模將達(dá)到約20億美元，年復(fù)合增長率為5.5%左右。

2023-07-24 http://xphdx.cn/Article/2023nianAMBtaocijiba.html
[行業(yè)動態(tài)]鋁基碳化硅（AlSiC）在IGBT上的應(yīng)用

大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時(shí)，會產(chǎn)生大量的熱。尤其是工作電流達(dá)到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標(biāo)是消除熱結(jié)。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設(shè)盡量暢通。

2023-06-26 http://xphdx.cn/Article/lvjitanhuaguiAlSiCza.html
[行業(yè)動態(tài)]除了陶瓷基板，IGBT模塊還有哪些主要材料？（實(shí)物圖）

IGBT是一種新型的電力電子器件，其基本結(jié)構(gòu)是在晶體管的基極和發(fā)射極之間加入絕緣層以及一個(gè)控制電極。

2023-06-12 http://xphdx.cn/Article/chuliaotaocijibanIGB.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT模塊生產(chǎn)工藝流程及主要設(shè)備

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT模塊生產(chǎn)過程主要是把晶圓貼片在陶瓷基板上，鍵合線，插針，點(diǎn)膠密封等過程。在閱讀本文之前，歡迎識別二維碼加入艾邦I(lǐng)GBT產(chǎn)業(yè)微信群；

2023-06-05 http://xphdx.cn/Article/IGBTmokuaishengchang.html
[行業(yè)動態(tài)]IGBT焊接層空洞的形成及解決方案

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

2023-05-31 http://xphdx.cn/Article/IGBThanjiecengkongdo.html