amb陶瓷覆銅板與第三代半導(dǎo)體

 第三代半導(dǎo)體的崛起與應(yīng)用，半導(dǎo)體器件逐漸向大功率、小型化、集成化、多功能等方向發(fā)展，對(duì)封裝性能也提出了更高要求。AMB陶瓷覆銅板吻合了第三代半導(dǎo)體的市場(chǎng)和性能要求。

一，AMB陶瓷覆銅板的優(yōu)勢(shì)

      AMB陶瓷覆銅板，是陶瓷基片經(jīng)過(guò)AMB活性釬焊工藝后陶瓷表面形成一種高附著力，結(jié)合力的銅層，從而具備導(dǎo)熱性強(qiáng)、機(jī)械性能好、能承載大電流、大功率、絕緣性好的綜合電氣性能的陶瓷覆銅板。AMB陶瓷覆銅板目前核心的材料有氮化鋁陶瓷基和碳化硅陶瓷基片。

二，第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)市場(chǎng)前景

 由于第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域?qū)儆谇把仡I(lǐng)域，市場(chǎng)前景廣闊，但也存在專業(yè)壁壘高的特征，對(duì)行業(yè)內(nèi)參與者和廣大投資者的專業(yè)要求也較高，第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料。碳化硅半導(dǎo)體器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點(diǎn)，具有開(kāi)關(guān)速度快、效率高的優(yōu)勢(shì)，可大幅降低產(chǎn)品功耗、提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積。目前，碳化硅半導(dǎo)體主要應(yīng)用于以5G通信、國(guó)防軍工、航空航天為代表的射頻領(lǐng)域和以新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、充電樁等“新基建”為代表的電力電子領(lǐng)域，具有廣闊可觀的市場(chǎng)前景。碳化硅陶瓷覆銅板、氮化硅陶瓷覆銅板在半導(dǎo)體領(lǐng)域用處最廣泛。更多amb陶瓷覆銅板的相關(guān)問(wèn)題可以咨詢金瑞欣特種電路。