氮化硅的雙層鈍化減反射膜比單層減反射膜對(duì)比效果

氮化硅陶瓷的應(yīng)用隨著技術(shù)需要越來(lái)越多，在交通軌道、電力、新能源汽車電子、光伏設(shè)備、功率半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電池等方面廣泛應(yīng)用。今天小編主要講述氮化硅陶瓷在太陽(yáng)電池制造的運(yùn)用。

氮化硅薄膜作為表面介質(zhì)層在傳統(tǒng)晶硅太陽(yáng)電池制造中被廣泛應(yīng)用，它能夠很好地鈍化多晶硅片表面及體內(nèi)的缺陷和減少入射光的反射。

氮化硅膜層中硅的含量增高，折射率和消光系數(shù)均相應(yīng)增高，隨之氮化硅對(duì)光的吸收就會(huì)增強(qiáng)，所以高折射率、高消光系數(shù)的薄膜不適合作為減反膜；但是相應(yīng)地增加硅的含量，表面鈍化作用呈現(xiàn)增強(qiáng)趨勢(shì)。

為了兼顧氮化硅膜層的鈍化和減反射效果，對(duì)于多晶太陽(yáng)電池普遍采用雙層氮化硅膜的減反射膜層，即先淀積一層高折射率的氮化硅可以更好地鈍化太陽(yáng)電池的表面，然后生長(zhǎng)低折射率的氮化硅用于降低表面反射率，從而有效的提高了太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

理論上采用多層氮化硅減反射膜層通過(guò)不斷降低折射率，能夠更好的鈍化太陽(yáng)電池表面和降低表面反射率。

由此可見(jiàn)，氮化鋁反射膜層的作用，氮化硅的雙層鈍化減反射膜比單層減反射膜對(duì)比效果要好。更多氮化硅陶瓷基板的相關(guān)問(wèn)題可以咨詢金瑞欣特種電路。