氮化硅陶瓷基板為何受歡迎                     

      氮化硅基板在半導體領域應用非常多，核心是可以幫助半導體器件更好的散熱。另外由于經(jīng)常面臨顛簸、震動等復雜的力學環(huán)境，基板材料也需一定的力學可靠性，氮化硅陶瓷基板各方面性能較平衡，是綜合性能最好的結構陶瓷材料。今天小編要分享的是氮化硅陶瓷基板為何受歡迎？

氮化硅陶瓷基板具備哪些優(yōu)勢？

氮化硅（Si₃N₄），核心元素是氮元素和硅元素，有著及其廣泛的應用。

進入智能化信息時代后，對電力電子器件還要求能夠?qū)﹄娔苓M行變換和控制，由此便大大提升了器件的電控和功率轉換性能要求與運行功耗，相應的，普通的基板已無法滿足降低復雜功率器件熱阻、控制運行溫度、保障可靠性的高要求，必須更換性能更優(yōu)的基板，新型功率陶瓷基板便應運而生。

 以下就是氮化硅陶瓷基板的優(yōu)勢特點：

 良好的絕緣性和抗電擊穿能力；

高的導熱率：導熱性直接影響半導體期間的運行狀況和使用壽命，散熱性差導致的溫度場分布不均勻也會使電子器件噪聲大大增加；

熱膨脹系數(shù)與封裝內(nèi)其他其他所用材料匹配；

良好的高頻特性：即低的介電常數(shù)和低的介質(zhì)損耗；

表面光滑，厚度一致：便于在基片表面印刷電路，并確保印刷電路的厚度均勻。

氮化硅陶瓷基板和氧化鋁、氮化鋁陶瓷基板的區(qū)別？

氮化硅陶瓷。它的高導熱系數(shù)、高電流載荷，比較容易滿足第三代功率半導體器件的散熱需求，同時熱膨脹系數(shù)與大多數(shù)半導體材料匹配，電氣性能與機械性能也有不錯的水平。

氧化鋁雖然導熱性能較差，無法跟上大功率半導體的發(fā)展趨勢，但其制造工藝成熟，成本低，在中低端領域仍有很大的需求量。氮化鋁的導熱性能最好，與半導體材料有良好的匹配，可應用于高端產(chǎn)業(yè)，只是力學性能較差，影響半導體器件壽命，使用成本較高。氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，但入門門檻很高，目前國內(nèi)很多科研單位和企業(yè)都在研究，但技術難度大，加工成本高，且市場較小，還未出現(xiàn)大規(guī)模應用的契機，這也是許多企業(yè)還在觀望，未下定決心加大投入的原因。

氮化硅陶瓷基板已然適應了第三代半導體行業(yè)的需求。

適應第三代半導體，如氮化鎵、碳化硅等性能要求的大功率陶瓷基板材料中，綜合下來最有前途的材料就是：氮化硅陶瓷。它的高導熱系數(shù)、高電流載荷，比較容易滿足第三代功率半導體器件的散熱需求，同時熱膨脹系數(shù)與大多數(shù)半導體材料匹配，電氣性能與機械性能也有不錯的水平。

綜合得出，氮化硅陶瓷基板要和第三代大功率半導體器件進行配套，是一個比較復雜的系統(tǒng)工程，不僅需要大規(guī)模資金的配合還要進行綜合技術的整合。更多陶瓷基板的詳情可以咨詢金瑞欣特種電路。