為什么氮化鋁陶瓷電路板是市場上導(dǎo)熱率最高的電路板?
市場上用戶需求量最多的氮化鋁陶瓷電路板,在大功率集成電路廣泛使用。采用的電路板材料一直沿用AL2O3和Beo陶瓷,但是AL2O3基板的導(dǎo)熱率低、熱膨脹系數(shù)與Si不太匹配;Beo雖然具有優(yōu)異的綜合性能,但其具有較高的生產(chǎn)成本和劇毒的缺點(diǎn)限制了它的應(yīng)用推廣。因而無論是性能、成本、環(huán)保要求方面來看AL2O3和Beo陶瓷已經(jīng)不能滿足電子功率器件的發(fā)展和需求了,取而代之是氮化鋁陶瓷電路板。
氮化鋁陶瓷電路板綜合性能
氮化鋁陶瓷具備優(yōu)異的綜合性能,是近年來受到廣泛關(guān)注的新一代先進(jìn)陶瓷,在多方面都有著廣泛的應(yīng)用前景,尤其是其具有高導(dǎo)熱率、低介電常數(shù)、低介電損耗、優(yōu)良的電絕緣性,與硅相匹配的熱膨脹系數(shù)及無毒性等優(yōu)點(diǎn),使其成為高密度、大功率和高速集成電路板與封裝基板的理想材料。
氮化鋁陶瓷電路板是導(dǎo)熱率最高的電路板
在氮化鋁一系列重要性質(zhì)中,最為顯著的是高導(dǎo)熱率。其主要機(jī)理為:通過點(diǎn)陣或晶格震動(dòng),即借助晶格波或熱波進(jìn)行傳遞。氮化鋁陶瓷為絕緣陶瓷材料,對(duì)于絕緣陶瓷材料,熱能以原子振動(dòng)方式傳遞,屬于聲子導(dǎo)熱,聲子在它的導(dǎo)熱過程中扮演者重要的角色。氮化鋁熱導(dǎo)率理論上可達(dá)320W(m·K),但由于氮化鋁中有雜質(zhì)和缺陷,導(dǎo)致氮化鋁陶瓷電路板的導(dǎo)熱率達(dá)不到理論值。氮化鋁粉末中雜質(zhì)主要是氧、碳,另外還有少量的金屬離子雜質(zhì),在晶格中產(chǎn)生各種缺陷形式,這些缺陷對(duì)聲子的散射會(huì)導(dǎo)致熱導(dǎo)率。即便如此,氮化鋁陶瓷電路板也是目前市場上導(dǎo)熱率最高的電路板。
氮化鋁陶瓷電路板的成型工藝也會(huì)影響到導(dǎo)熱率。
陶瓷基板的成型主要有壓膜、干壓、和流延成型三種方法。其中以流延法成型生產(chǎn)效率最高,且易于實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)的連續(xù)化和自動(dòng)化,改善產(chǎn)品質(zhì)量,降低成本,實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn),生產(chǎn)基板的厚度可以薄至于10μm以上,厚度1mm以下。流延成型是氮化鋁陶瓷電路板向?qū)嵱没D(zhuǎn)化的重要一步,有著重要的應(yīng)用前景。
流延成型工藝包括漿料制備、球磨、成型、干燥、剝離基帶等過程,該工藝方法的特點(diǎn)是設(shè)備簡單、工藝穩(wěn)定、可連續(xù)操作、生產(chǎn)效率高、可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化。流延法制備陶瓷基板對(duì)工藝要求非常嚴(yán)格,要制得性能良好的氮化鋁陶瓷基板,必須對(duì)流程中的每一個(gè)工序做到最優(yōu)化。影響氮化鋁陶瓷電路板的因素有漿料粘度,排膠和預(yù)燒結(jié),這會(huì)影響到基板的平整度、導(dǎo)熱率等等。
金瑞欣特種電路制作的氮化鋁陶瓷電路板采用先進(jìn)工作制作,導(dǎo)熱率高,誤差小,有著多年行業(yè)經(jīng)驗(yàn),值得信賴氮化鋁陶瓷電路板廠家!