摘要
LTCC技術(shù)以其特有的技術(shù)特點廣泛應(yīng)用于射頻電路系統(tǒng),本文針對LTCC工藝中關(guān)鍵工藝問題開展研究,詳細分析了影響LTCC基板收縮率、翹曲度和層間對位偏差的工藝因素,并闡述了如何優(yōu)化工藝參數(shù)以解決上述問題。通過大量的工藝試驗和數(shù)據(jù)測試,結(jié)果表明,新的工藝方案可有效解決這些工藝問題。
LTCC多層電路基板制造工藝流程較長,工藝復(fù)雜,基板收縮率、翹曲度、層間對位精度等都是影響產(chǎn)品性能的重要因素,目前這些都是LTCC基板制造工藝中控制的難點,需要不斷進行研究,改進優(yōu)化LTCC制造工藝。
LTCC收縮率與其密度有直接關(guān)系,密度越大收縮率越小,密度越小收縮率越大,反應(yīng)到工藝參數(shù)上來,密度與層壓壓力相對應(yīng),因此可以通過調(diào)控層壓壓力來改變LTCC產(chǎn)品的收縮率,使之達到設(shè)計要求,如下圖1所示是LTCC材料廠商提供的本批次材料“層壓壓力-密度-收縮率”關(guān)系曲線。
但是上述廠家給出的“等靜壓壓力-收縮率”曲線是基于白瓷進行燒結(jié)后測量的,而實際LTCC基板由于存在金屬通孔、印刷金屬導(dǎo)線,這些金屬的收縮率不同于白瓷收縮率,因此相同層壓壓力下LTCC產(chǎn)品的收縮率與白瓷的收縮率有一定差異,需要進一步研究其規(guī)律,積累工藝數(shù)據(jù),進行層壓壓力相應(yīng)的調(diào)整。
LTCC基板燒結(jié)收縮率及翹曲度是LTCC基板的重要工藝指標(biāo)之一。其不僅與燒結(jié)工藝有關(guān),還與基板對稱性設(shè)計、電路布局、漿料選用關(guān)系密切。
1)燒結(jié)原因:燒結(jié)工藝與基板翹曲度、收縮率有直接關(guān)系,LTCC基板的燒結(jié)過程實際是一個放熱吸熱反應(yīng)的過程。排膠階段(室溫至500℃左右)基板中有機物分解揮發(fā),質(zhì)量減輕;燒結(jié)階段(700℃~850℃左右)基板發(fā)生結(jié)晶和析晶反應(yīng),伴隨反應(yīng)的進行,基板收縮。因此低溫階段、高溫階段的燒結(jié)時間,升溫速率與基板收縮程度、翹曲程度關(guān)系密切,需要優(yōu)化燒結(jié)曲線,通過試驗調(diào)整排膠階段升溫速率、時間,燒結(jié)階段升溫速率、時間,各階段空氣流量等重要工藝參數(shù)。
2)基板結(jié)構(gòu)及金屬分布問題:LTCC基板的結(jié)構(gòu)也是決定LTCC基板燒結(jié)翹曲度的關(guān)鍵因素,當(dāng)LTCC基板上存在多種規(guī)格的空腔結(jié)構(gòu)時,其結(jié)構(gòu)難以均衡對稱,同時由于LTCC基板上含有大量通孔及密集金屬導(dǎo)線,這些都難以均勻分布,這樣就容易導(dǎo)致其翹曲度超差。
圖1 LTCC“層壓壓力-密度-收縮率”關(guān)系曲線
表1 帶膜工藝LTCC通孔錯位原因分析表(單位:μm)
LTCC基板層間對位偏差與打孔精度、生瓷片自身收縮情況、各層印刷導(dǎo)體情況,疊層對位精度等眾多因素相關(guān),是控制的難點,因此需要對整個工藝流程進行監(jiān)控,找出主要影響因素,進行優(yōu)化控制。按照帶膜工藝流程進行LTCC制造,對全過程進行錯位監(jiān)控,具體如表1所示:
本輪試驗通過全流程跟蹤監(jiān)測,由表1數(shù)據(jù)可知,帶膜生瓷片在撕膜后會有一個應(yīng)力的釋放,導(dǎo)致較大變形,其中主要形變方向為生瓷流延方向,表現(xiàn)為放大,范圍約為40μm~70μm,垂直于流延方向則表現(xiàn)為收縮,范圍約為10μm~20μm,是帶膜工藝通孔錯位的主要原因。
開展試驗研究,尋求實際收縮率與曲線上收縮率的誤差,以此進行調(diào)整。如下所示是開展了多批次不同層壓壓力下實際收縮率測試實驗。
如上表2所示,通過多輪的層壓試驗,實測LTCC收縮率與LTCC“層壓壓力-密度-收縮率”關(guān)系曲線上收縮率誤差約為0.2%~0.3%,依此指導(dǎo)實際生產(chǎn)。在武協(xié)LTCC制造中,工藝設(shè)計收縮率15.8%,為達到次收縮率,因為上述試驗證明實測LTCC收縮率與曲線上收縮率誤差約為0.2%~0.3%,因此要到達15.8%的收縮率,應(yīng)選用16%收縮率所對應(yīng)的層壓壓力,即力3000psi。實際效果表明效果較好,達到了設(shè)計收縮率。
1)燒結(jié)工藝優(yōu)化:降低排膠階段升溫速率,優(yōu)化各階段氣流量,緩解不同材料熱膨脹系數(shù)不匹配的應(yīng)力。
2)布版設(shè)計優(yōu)化:對于單塊基板內(nèi)部無法滿足金屬化平衡分布的情況,擬在版圖布局時進行對稱性布局,使其在整版中形成金屬化平衡分布,燒結(jié)時再進行整版燒結(jié),這樣就可以有效的改善基板平整度。
3)漿料選用優(yōu)化:在混合漿料體系中,大面積底層盡量選用同種材質(zhì)的漿料,對于LTCC背面焊接層,確需選擇不同漿料時,可盡量選擇后燒型漿料,以此可降低燒結(jié)難度,改善基板翹曲度。
按照上述方案進行工藝優(yōu)化后,將生產(chǎn)的LTCC基板在廣州五所賽寶試驗室進行了基板外形尺寸及翹曲度測試,測試表明,通過上述改進,基板外形尺寸精度及翹曲度指標(biāo)完全滿足過藝要求,改進效果明顯,基板本身及空腔底面平整度均達到了較好效果,基板均達到小于2‰的翹曲度。
帶膜工藝,在疊片前撕膜,生瓷片在流延是積累的應(yīng)力在撕膜時集中釋放,造成生瓷片無規(guī)律性變形,引起生瓷片上通孔及導(dǎo)線位置偏移。改為無膜工藝,在打孔前對生瓷片進行撕膜、自然放置老化處理,以釋放應(yīng)力;更改后工藝流程如下圖4所示,該此工藝流程瓷片疊片前形變?nèi)绫?所示。
通過上述分析可知,生瓷片脫膜后通過老化工序,加速生瓷片老化釋放壓力,減小生瓷片在其后加工過程中的形變量,然后再進行生瓷片加工,從而有效地改善了LTCC基板層間對位偏差,因此老化效果將對后續(xù)LTCC基板層間對位偏差有重要影響,老化不充分,脫膜生瓷片在后續(xù)加工中仍將有較大形變,為此需要對老化工藝開展研究,較好的老化的方法通常是對生瓷片脫膜后進行常溫下自然晾置,其關(guān)鍵工藝參數(shù)時晾置時間,下面對該工藝參數(shù)進行試驗研究。試驗方法是在脫膜后的生瓷片上沖孔,通過測量X、Y方向通孔間距以判斷生瓷片是否老化充分了,試驗情況如下:
表5測試數(shù)據(jù)表明,無膜工藝流程下打孔后至疊片前,打孔、填孔、印刷、漿料干燥等工序操作造成的生瓷片形變約在+15μm左右,完全滿足過藝要求,該工藝流程下填孔層間對位偏差將得以改善。
采用上述方案后,改進后通孔對位精度明顯提高,達到≤40μm水平,如圖5所示。