先進(jìn)陶瓷已逐步成為新材料的重要組成部分，成為許多高技術(shù)領(lǐng)域發(fā)展的重要關(guān)鍵材料，備受各工業(yè)發(fā)達(dá)國(guó)家的極大關(guān)注，其發(fā)展在很大程度上也影響著其他工業(yè)的發(fā)展和進(jìn)步。由于先進(jìn)陶瓷特定的精細(xì)結(jié)構(gòu)和其高強(qiáng)、高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、導(dǎo)電、絕緣、磁性、透光、半導(dǎo)體以及壓電、鐵電、聲光、超導(dǎo)、生物相容等 一系列優(yōu)良性能，被廣泛應(yīng)用于國(guó)防、化工、冶金、電子、機(jī)械、航空、航天、生物 醫(yī)學(xué)等國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域。
電子陶瓷行業(yè)：推動(dòng)電子信息業(yè)迅猛發(fā)展電子陶瓷是無(wú)源電子元件的核心材料，是電子信息技術(shù)的重要材料基礎(chǔ)。近年來(lái)，隨著電子信息技術(shù)日益走向集成化、智能化和微型化，以半導(dǎo)體技術(shù)為 基礎(chǔ)的有源器件和集成電路迅速發(fā)展，無(wú)源電子元件日益成為電子元器件技術(shù)的發(fā) 展瓶頸。而電子陶瓷材料及技術(shù)是制約高端元件發(fā)展的重要因素之一，越來(lái)越成為制約電子信息技術(shù)發(fā)展的核心技術(shù)之一。從戰(zhàn)略高度研判國(guó)內(nèi)外電子陶瓷材料與元器件技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，分析我國(guó)相關(guān)領(lǐng)域的問題及對(duì)策，對(duì)于推動(dòng)我國(guó)高端電子元器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義。我國(guó)是無(wú)源電子元件大國(guó)但不是強(qiáng)國(guó)。從產(chǎn)品產(chǎn)量上看，我國(guó)無(wú)源元件的產(chǎn)量占到了全球的 40%以上，多種電子陶瓷產(chǎn)品的產(chǎn)量居世界首位，已經(jīng)形成了一批在國(guó)際上擁有一定競(jìng)爭(zhēng)力的元器件產(chǎn)品生產(chǎn)基地，同時(shí)擁有全球最大的應(yīng)用市場(chǎng)。然而， 我國(guó)但元件產(chǎn)值不足全球產(chǎn)值的四分之一，高端元件大量依賴進(jìn)口。目前高端電子陶瓷材料市場(chǎng)主要為日本企業(yè)所壟斷，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的材料少部分用于高端元器件產(chǎn)品， 大部分用于中低端元器件產(chǎn)品；國(guó)內(nèi)高水平科研成果在轉(zhuǎn)化過程中遭遇來(lái)自原材料、 生產(chǎn)裝備、穩(wěn)定性等方面的瓶頸，所占市場(chǎng)份額相對(duì)較低。在產(chǎn)業(yè)技術(shù)方面，我國(guó)的電子陶瓷及其元器件產(chǎn)品生產(chǎn)基地已經(jīng)形成了相當(dāng)?shù)囊?guī)模，并擁有國(guó)際先進(jìn)的生產(chǎn)水平。電子元器件是構(gòu)建電子系統(tǒng)最基礎(chǔ)的部件，不管多么復(fù)雜的電子系統(tǒng)，實(shí)際上都是由一個(gè)個(gè)電子元器件組合而成。電子元器件按是否影響電信號(hào)特征進(jìn)行分類， 可分為被動(dòng)元件與主動(dòng)元件。其中被動(dòng)元件無(wú)法對(duì)電信號(hào)進(jìn)行放大、振蕩、運(yùn)算等 處理和執(zhí)行，僅具備響應(yīng)功能且無(wú)需外加激勵(lì)單元，是電子產(chǎn)品中不可或缺的基本 零部件。電阻、電容、電感是三種最主要的被動(dòng)元件，其中電容應(yīng)用范圍較為廣泛。電容器是充、放電荷的被動(dòng)元件，其電容量的大小，取決于電容器的極板面積、極板 間距及電介質(zhì)常數(shù)。根據(jù)電介質(zhì)的不同，電容器可以分為陶瓷電容器、鋁電解電容器、鉭電解電容器和薄膜電容器等。其中陶瓷電容器因?yàn)榫邆浒w積小、電壓范圍大等特點(diǎn)，目前在電容器市場(chǎng)中占據(jù)超過一半的市場(chǎng)份額。陶瓷電容器可以分為單層陶瓷電容器、片式多層陶瓷電容器和引線式多層陶瓷電容器。其中，MLCC 是由印好電極（內(nèi)電極）的陶瓷介質(zhì)膜片以錯(cuò)位的方式疊合起來(lái)，經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片，再在芯片的兩端封上金屬層（外電極）而 成。MLCC 全稱片式多層瓷介質(zhì)電容器，以電子陶瓷材料作為介質(zhì)，將預(yù)制好的陶瓷 漿料通過流延方式制成要求厚度的陶瓷介質(zhì)薄膜，然后在介質(zhì)薄膜上印刷內(nèi)電極， 并將印有內(nèi)電極的陶瓷介質(zhì)膜片交替疊合熱壓，形成多個(gè)電容器并聯(lián)，并在高溫下一次燒結(jié)成一個(gè)不可分割的整體電子元器件，最后在電子元器件的端部涂敷外電極 漿料，使之與內(nèi)電極形成良好的電氣連接，形成 MLCC 的兩極。
從需求端看，根據(jù)中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示，2020 年全球 MLCC 行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1017億元，而中國(guó)MLCC行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約為460億元，約占全球的45.23%。MLCC 行業(yè)的發(fā)展主要受智能化消費(fèi)電子產(chǎn)品的普及與更新、新能源汽車和無(wú)人駕駛 技術(shù)等帶來(lái)的汽車電子化水平的提高、5G 通信的推廣和工業(yè)自動(dòng)化不斷深入等終端 需求驅(qū)動(dòng)。目前，消費(fèi)電子產(chǎn)品在 MLCC 的下游應(yīng)用領(lǐng)域中依然占據(jù)主導(dǎo)地位，但汽車的新能源化趨勢(shì)將大大促進(jìn)中高壓、高容等高端 MLCC 產(chǎn)品的需求增長(zhǎng)，因此新能源汽車的大力發(fā)展有望成為行業(yè)新的增長(zhǎng)點(diǎn)。消費(fèi)電子方面，高端手機(jī) MLCC 的用量較 4G 時(shí)代約 700 個(gè)上升為 1000 個(gè)以上。5G 手機(jī)功耗更大，終端產(chǎn)品對(duì)更小尺寸、更大容量、更低功耗的高端 MLCC 需求持續(xù) 增多，隨著 5G 手機(jī)的滲透率不斷提升，預(yù)計(jì) 2025 年智能手機(jī)對(duì) MLCC 的需求量將達(dá) 到 14000 億顆。
5G 基站方面，單個(gè) 4G 基站 MLCC 需求量約 3750 個(gè)，5G 基站需求則大幅提升 4 倍至 15000 個(gè)電感需求方面。由于 5G 基站天線通道數(shù)增加，以及天線有源化對(duì)天線 設(shè)計(jì)提出了更高的要求，被動(dòng)元件需求量大幅增加。數(shù)據(jù)顯示，2019 年，中國(guó) 5G 基 站 MLCC 總需求量為 20 億個(gè)，2020 年，中國(guó) 5G 基站 MLCC 總需求量為 88 億個(gè)，較上 年同比增長(zhǎng) 340%，觀研報(bào)告網(wǎng)預(yù)計(jì) 2022 年中國(guó) 5G 基站 MLCC 總需求量將達(dá) 120 億 個(gè)。汽車方面，汽車電子發(fā)展對(duì) MLCC 市場(chǎng)規(guī)模推動(dòng)主要來(lái)自汽車電子化率和新能源 汽車滲透率的提高。汽車電子化率方面，從使用量上來(lái)看，汽車領(lǐng)域?qū)τ?MLCC 的需 求量顯著高于消費(fèi)電子，其中動(dòng)力系統(tǒng)帶來(lái)的 MLCC 增量較為顯著。每輛汽車使用的電子元件，中端車平均為 6300 個(gè)，高端車為 8200 個(gè)，純電動(dòng)汽車增加到 14000 個(gè)， 其中有一半是MLCC，這意味著隨著新能源汽車的不斷普及，MLCC需求量會(huì)不斷增長(zhǎng)。從發(fā)展方向上看，汽車電子正成為各大主流 MLCC 廠商的主要布局方向，電動(dòng)車(EV) 的需求亦有望迎來(lái)較快增長(zhǎng)。上游材料方面，MLCC 使用的陶瓷粉體是在鈦酸鋇基礎(chǔ)粉上添加改性添加劑形成 的配方粉。鈦酸鋇可以作為電介質(zhì)材料的主要原因在于其常溫條件下介電常數(shù)較高， 在 MLCC 的成本結(jié)構(gòu)中占比在 20%-45%之間，粉體的自制直接影響 MLCC 的盈利。因 而 MLCC 下游的高景氣度也會(huì)催生大量陶瓷粉體的需求。
供給端，目前能夠?qū)崿F(xiàn)高純度、精細(xì)度和均勻度的鈦酸鋇粉體制備的廠商以日 美廠商為主。日本 Sakai 化學(xué)、日本化學(xué)、日本 FujiTi、美國(guó) Ferro 等占據(jù) 85%左 右份額，可以制備 100nm 粒徑以下的鈦酸鋇粉體。日本堺化學(xué)及日本化學(xué)合計(jì)占據(jù)了 42%的市場(chǎng)份額，美國(guó) Ferro 占據(jù)了 20%的市 場(chǎng)份額。富士鈦（2005 年被石原產(chǎn)業(yè)收購(gòu)）、日本東邦鈦業(yè)廠商等也占據(jù)主要市場(chǎng)地 位。高純、超細(xì)陶瓷粉體的制造工藝是制約國(guó)產(chǎn) MLCC 發(fā)展的瓶頸，目前國(guó)內(nèi)的陶瓷 粉料廠商如國(guó)瓷材料(28.250, 0.03, 0.11%)、風(fēng)華高科(15.790, -0.02, -0.13%)（維權(quán)）、三環(huán)集團(tuán)(29.800, -0.20, -0.67%)已掌握相關(guān)納米分散技術(shù)，能夠滿足中 低端 MLCC 的生產(chǎn)需求。但目前一部分特殊功能、超細(xì)高純度粉料依舊依賴進(jìn)口，以 滿足高端 MLCC 的生產(chǎn)需要。
電感是三大被動(dòng)元器件之一，由于電感較難被集成到集成電路上，集成上去后 品質(zhì)因素不好，因此作為被動(dòng)元器件器件之一將長(zhǎng)期存在。近年來(lái)，下游電子產(chǎn)品 出貨量增長(zhǎng)不斷帶動(dòng)電感器需求增長(zhǎng)。目前我國(guó)電感器件市場(chǎng)中傳統(tǒng)插裝電感器件 仍舊占據(jù)約 30%的市場(chǎng)份額，片式電感器件占據(jù)約 70%的市場(chǎng)份額，其中，繞線片式 電感期間的市場(chǎng)份額約為 7%，疊層片式電感器件的市場(chǎng)份額約為 85%。相較日本、 歐美等發(fā)達(dá)國(guó)家的片式化率達(dá)到85%以上的水平，我國(guó)約70%的片式化率水平仍較低， 有較大拓展空間，未來(lái)片式原件對(duì)傳統(tǒng)元件的替代進(jìn)程將進(jìn)一步加快。片式電感的上游原材料包括銀漿、鐵氧體粉、介電陶瓷粉、磁芯、導(dǎo)線等。下游 行業(yè)主要是通訊、電腦、消費(fèi)類電子、小家電、衛(wèi)星通訊以及汽車電子等領(lǐng)域的終端 電子產(chǎn)品制造業(yè)。需求端，終端產(chǎn)品小型化和多功能化的發(fā)展趨勢(shì)，為新型片式電感的應(yīng)用提供 了日趨廣闊的前景。電感在電子設(shè)備(消費(fèi)電子、汽車、工控、軍工和醫(yī)療等)中必不 可少，有過濾噪聲、處理信號(hào)、穩(wěn)定電流和抑制電磁波干擾的功能。隨著中國(guó)通訊技術(shù)的快速更迭以及物聯(lián)網(wǎng)、智慧城市等相關(guān)產(chǎn)業(yè)大規(guī)模建設(shè)，中國(guó)電感器市場(chǎng)規(guī)模 快遞發(fā)展。2020 年，我國(guó)移動(dòng)通訊、消費(fèi)電子等行業(yè)快速增長(zhǎng)，有利推動(dòng)電感器件 行業(yè)發(fā)展。由于尚未有官方機(jī)構(gòu)公布中國(guó)電感器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模，前瞻依據(jù)各機(jī)構(gòu) 公布的現(xiàn)有數(shù)據(jù)對(duì)中國(guó)電感器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模進(jìn)行測(cè)算。測(cè)算可得，2020 年，我國(guó) 電感器件行業(yè)業(yè)務(wù)規(guī)模約達(dá) 117 億元。
供應(yīng)端，村田及 TDK 是當(dāng)前全球最大的兩家電感供應(yīng)商，以其為首的日本廠商 總計(jì)約占據(jù)了電感全球市場(chǎng)的 50%。其中，村田在射頻電感方面處于主導(dǎo)地位，而 TDK 及松下則在汽車領(lǐng)域的功率電感具備優(yōu)勢(shì)。從國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上看，國(guó)內(nèi)電感器件行業(yè) 主要參與者包括日系廠商及中國(guó)本土廠商，中國(guó)廠商中，奇力新占據(jù)主要市場(chǎng)，優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域?yàn)殡娔X、網(wǎng)絡(luò)及手機(jī)方面的功率電感;順絡(luò)電子(25.600, -0.20, -0.78%)是目前中國(guó)營(yíng)收規(guī)模最大的電感企業(yè)?？傮w來(lái)看，國(guó)內(nèi)電感器件行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)者主要分為三個(gè)梯隊(duì)，第一梯隊(duì)以日 系廠商為主，同時(shí)包括少部分中國(guó)廠商(奇力新、順絡(luò)電子);第二梯隊(duì)主要為國(guó)內(nèi)中 大型廠商，主要包括麥捷科技(8.560, -0.02, -0.23%)、風(fēng)華高科、合泰盟方、鉑科新材(91.870, 1.63, 1.81%)等企業(yè);第三梯隊(duì)為 國(guó)內(nèi)中小型企業(yè)，企業(yè)規(guī)模較小，競(jìng)爭(zhēng)力較弱。壓電陶瓷是一種重要的換能材料，其機(jī)電耦合性能優(yōu)良，在電子信息、機(jī)電換 能、自動(dòng)控制、微機(jī)電系統(tǒng)、生物醫(yī)學(xué)儀器中廣泛應(yīng)用。為適應(yīng)新的應(yīng)用需求，壓電 器件正向多層化、片式化和微型化方向發(fā)展。近年來(lái)，多層壓電變壓器、多層壓電驅(qū) 動(dòng)器、片式化壓電頻率器件等一些新型壓電器件不斷被研制，并廣泛應(yīng)用于電氣、 機(jī)電、電子等領(lǐng)域。同時(shí)，在新型材料方面，無(wú)鉛壓電陶瓷的研制已取得了較大的突 破，有可能使得無(wú)鉛壓電陶瓷在許多領(lǐng)域替代鋯鈦酸鉛（PZT）基的壓電陶瓷，推動(dòng) 綠色電子產(chǎn)品的升級(jí)換代。此外，壓電材料在下一代能源技術(shù)中的應(yīng)用開始嶄露頭 角。過去十年中，隨著無(wú)線與低功耗電子器件的發(fā)展，利用壓電陶瓷的微型能量收 集技術(shù)的研究與開發(fā)受到各國(guó)政府、機(jī)構(gòu)和企業(yè)的高度重視。需求端，根據(jù)辰宇信息咨詢披露，2020 年全球壓電陶瓷技術(shù)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到了 576 億元，預(yù)計(jì) 2026 年將達(dá)到 745 億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為 3.7%。。供給端，經(jīng)過不斷發(fā)展，我國(guó)壓電材料企業(yè)數(shù)量眾多，能夠生產(chǎn)的產(chǎn)品種類較 為齊全，涌現(xiàn)出一批優(yōu)秀企業(yè)，例如天通股份(11.590, -0.02, -0.17%)、中科三環(huán)(13.450, -0.10, -0.74%)、無(wú)錫好達(dá)電子等。但我國(guó) 壓電材料行業(yè)集中度低，排名前三的企業(yè)合計(jì)市場(chǎng)份額占比僅為 10%左右，大部分企 業(yè)規(guī)模偏小，資金實(shí)力較弱，在研發(fā)、技術(shù)、人才等方面較為薄弱，以低端產(chǎn)品生產(chǎn) 為主。在此背景下，我國(guó)壓電材料行業(yè)結(jié)構(gòu)發(fā)展不合理，高端產(chǎn)能不足，低端產(chǎn)能過剩。
隨著近年來(lái)科技不斷升級(jí)，芯片輸入功率越來(lái)越高，對(duì)高功率產(chǎn)品來(lái)講，其封 裝基板要求具有高電絕緣性、高導(dǎo)熱性、與芯片匹配的熱膨脹系數(shù)等特性。伴隨著功率器件 (包括 LED、LD、IGBT、CPV 等) 不斷發(fā)展，散熱成為影響器件性能與可 靠性的關(guān)鍵技術(shù)。對(duì)于電子器件而言，通常溫度每升高 10°C，器件有效壽命就降 低 30% ~ 50%。因此，選用合適的封裝材料與工藝、提高器件散熱能力就成為發(fā)展 功率器件的技術(shù)瓶頸。以大功率 LED 封裝為例，由于輸入功率的 70%-80%轉(zhuǎn)變成為熱量(只有約 20%-30% 轉(zhuǎn)化為光能)，且 LED 芯片面積小，器件功率密度很大(大于 100W/cm2)，因此散熱成 為大功率 LED 封裝必須解決的關(guān)鍵問題。如果不能及時(shí)將芯片發(fā)熱導(dǎo)出并消散，大 量熱量將聚集在 LED 內(nèi)部，芯片結(jié)溫將逐步升高，一方面使 LED 性能降低 (如發(fā) 光效率降低、波長(zhǎng)紅移等)，另一方面將在 LED 器件內(nèi)部產(chǎn)生熱應(yīng)力，引發(fā)一系列可 靠性問題 (如使用壽命、色溫變化等)。陶瓷基板主要有平面陶瓷基板及多層陶瓷基板。制造高純度的陶瓷基板是很困 難的，大部分陶瓷熔點(diǎn)和硬度都很高，這一點(diǎn)限制了陶瓷機(jī)械加工的可能性，因此陶瓷基板中常常摻雜熔點(diǎn)較低的玻璃用于助熔或者粘接，使最終產(chǎn)品易于機(jī)械加工。Al2O3、BeO、AlN 基板制備過程很相似，將基體材料研磨成粉直徑在幾微米左右，與不同的玻璃助熔劑和粘接劑（包括粉體的 MgO、CaO）混合，此外還向混合物中加入 一些有機(jī)粘接劑和不同的增塑劑再球磨防止團(tuán)聚使成分均勻，成型生瓷片，最后高溫?zé)Y(jié)。
陶瓷基板按照工藝主要分為 DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC 等基板。目前，國(guó)內(nèi) 常用陶瓷基板材料主要為 Al2O3、AlN 和 Si3N4。Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用 DBC 和 AMB 工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝。近年來(lái)，隨 著半導(dǎo)體照明和新型傳感器市場(chǎng)規(guī)模的不斷擴(kuò)大，陶瓷基板需求隨之增加。特別是 采用激光打孔與電鍍填孔技術(shù)制備的 DPC 陶瓷基板，具有圖形精度高、可垂直封裝 等優(yōu)點(diǎn)，大大提高了電子器件封裝集成度，有望在今后的功率器件封裝中發(fā)揮更大 的作用。
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