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[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷覆銅基板抗彎強(qiáng)度介紹

陶瓷材料的彎曲強(qiáng)度是金屬化陶瓷基板的一項(xiàng)重要性能，因?yàn)樗谘b配過(guò)程中影響到基板的可靠性和強(qiáng)度。彎曲強(qiáng)度通常表征為陶瓷對(duì)拉伸強(qiáng)度的阻力。這取決于陶瓷材料和材料中宏觀缺陷的類型、分布以及測(cè)量、評(píng)估方法。

2023-12-15 http://xphdx.cn/Article/taocifutongjibankang.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]深入了解陶瓷基板金屬化，陶瓷與金屬的完美結(jié)合

在大功率電子器件使用中為實(shí)現(xiàn)芯片與電子元件之間的互聯(lián)，陶瓷作為封裝基板材料，需對(duì)其表面進(jìn)行金屬化處理。陶瓷金屬化有如下要求：優(yōu)良的密封性，金屬導(dǎo)電層的方阻和電阻率小，同時(shí)與陶瓷基板具有較強(qiáng)的附著力，陶瓷經(jīng)金屬化后仍需具備高的熱導(dǎo)率。

2023-11-01 http://xphdx.cn/Article/shenruliaojietaociji.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板的市場(chǎng)規(guī)模和應(yīng)用發(fā)展

目前，國(guó)內(nèi)常用陶瓷基板材料主要為Al2O3、AlN和Si3N4。無(wú)論哪種材料的陶瓷基板，在燒結(jié)成型之后，需對(duì)其表面實(shí)施金屬化，然后通過(guò)影像轉(zhuǎn)移的方法完成表面圖形的制作，以實(shí)現(xiàn)陶瓷基板的電氣連接性能。金屬化陶瓷基板按照工藝主要分為DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。氧化鋁陶瓷基板主要采用DBC、DPC工藝，氮化鋁陶瓷基板主要采用DBC和AMB工藝，氮化硅陶瓷基板主要采用AMB工藝

2023-10-27 http://xphdx.cn/Article/taocijibanpcb.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板工藝升，成為我國(guó)行業(yè)突破的關(guān)鍵！

在目前的陶瓷基板行業(yè)，日本占據(jù)全球絕大市場(chǎng)份額。在關(guān)鍵材料方面，氮化鋁、氮化硅粉體仍依賴進(jìn)口，大部分市場(chǎng)份額被日本企業(yè)占據(jù)。此外，用于金屬化工藝的銅箔，國(guó)內(nèi)尚無(wú)企業(yè)能夠生產(chǎn)替代，完全依賴進(jìn)口。

2023-10-13 http://xphdx.cn/Article/taocijibangongyitich.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]IGBT模塊中不同金屬化方法覆銅氮化鋁陶瓷基板的可靠性研究

針對(duì)氮化鋁陶瓷基板的IGBT應(yīng)用展開(kāi)分析，著重對(duì)不同金屬化方法制備的覆銅AlN基板進(jìn)行可靠性進(jìn)行研究。通過(guò)對(duì)比厚膜法、薄膜法、直接覆銅法和活性金屬釬焊法金屬化AlN基板的剝離強(qiáng)度、熱循環(huán)、功率循環(huán)，分析結(jié)果可知，活性金屬釬焊法制備的AlN覆銅基板優(yōu)于其他工藝基板，剝離強(qiáng)度25 MPa，（-40 ~150）℃熱循環(huán)達(dá)到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循環(huán)測(cè)試7萬(wàn)次，滿足IGBT模塊對(duì)陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://xphdx.cn/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]一文了解 IGBT 模塊封裝用陶瓷襯板技術(shù)

IGBT 是電力電子變換中的核心元器件，以低電壓控制大功率電路的斷開(kāi)與導(dǎo)通，廣泛應(yīng)用于軌道交通、新能源汽車、軍工航天、工業(yè)機(jī)器等領(lǐng)域。隨著我國(guó)高鐵、航空航天、混合動(dòng)力汽車的飛速發(fā)展， IGBT 模塊需要更高的可靠性、更快的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換速度、更低的能量損耗等，因此，需要高可靠性的封裝技術(shù)使芯片的優(yōu)勢(shì)能夠完全發(fā)揮出來(lái)。其中，IGBT 封裝用散熱基板在封裝時(shí)起著機(jī)械互連和電氣導(dǎo)通的作用，是高可靠性封裝中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。

2023-08-14 http://xphdx.cn/Article/yiwenliaojieIGBTmoku.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]“多才多藝”的氧化鋁陶瓷基板

陶瓷基板以其優(yōu)良的導(dǎo)熱性和氣密性，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子和多芯片模塊等領(lǐng)域。氧化鋁陶瓷具有原料來(lái)源豐富、價(jià)格低廉、機(jī)械強(qiáng)度和硬度較高、絕緣性能、耐熱沖擊性能和抗化學(xué)侵蝕性能良好、尺寸精度高、與金屬附著力好等一系列優(yōu)點(diǎn)，是一種綜合性能較好的陶瓷基片材料，也是目前應(yīng)用最為廣泛的陶瓷基板材料。

2023-06-07 http://xphdx.cn/Article/duocaiduoyideyanghua.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板在半導(dǎo)體制冷器中的應(yīng)用

半導(dǎo)體制冷技術(shù)的研究起源于上世紀(jì)50年代，是一門(mén)以熱電制冷材料為基礎(chǔ)的新興制冷技術(shù)，作為半導(dǎo)體制冷技術(shù)的核心部件，半導(dǎo)體熱電制冷器件能讓高集成度電子元器件的工作溫度迅速下降，因而應(yīng)用十分廣泛。陶瓷基板在半導(dǎo)體制冷器件中起到了關(guān)鍵的作用，下面我們就從什么是半導(dǎo)體制冷器開(kāi)始說(shuō)起，為大家介紹陶瓷基板在其中的應(yīng)用。

2023-04-18 http://xphdx.cn/Article/taocijibanbandaoti.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]電子封裝陶瓷基板如何進(jìn)行表面修飾？

以氧化鋁、氮化鋁、氮化硅為主流的陶瓷基板是當(dāng)下電子封裝領(lǐng)域不可或缺的基礎(chǔ)材料，它們既是芯片和阻容元件的承載體，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電和互連的功能，也是芯片的保護(hù)體，發(fā)揮著抵御服役環(huán)境應(yīng)力沖擊及濕熱腐蝕的作用。其具有的與芯片熱膨脹系數(shù)匹配、耐高溫、耐腐蝕、散熱能力強(qiáng)、介電常數(shù)小、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、結(jié)構(gòu)致密、絕緣性好、成本低廉、適合大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，在快速發(fā)展的高可靠電子封裝領(lǐng)域有著進(jìn)一步提升適應(yīng)性的潛力。

2023-04-10 http://xphdx.cn/Article/taocijibanbmxs.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究進(jìn)展隨著第三代SiC基功率模塊器件的功率密度和工作溫度不斷升高，器件對(duì)于封裝基板的散熱能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被廣泛使用的直接覆銅(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通過(guò)共晶鍵合法制備而成，銅和陶瓷之間沒(méi)有粘結(jié)材料，在高溫服役過(guò)程中，往往會(huì)因?yàn)殂~和陶瓷(Al2O3或AlN)之間的熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致銅層從陶瓷表面剝離，因此傳統(tǒng)的DBC陶瓷基板已經(jīng)難以滿足高溫、大功率、高散熱、高可靠性的封裝要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆銅基板則是利用活性金屬元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以潤(rùn)濕陶瓷表面的特性，將銅層通過(guò)活性金屬釬料釬焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://xphdx.cn/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]陶瓷基板在半導(dǎo)體制冷器中的應(yīng)用以及原理和特點(diǎn)

陶瓷基板在半導(dǎo)體制冷器中的應(yīng)用以及原理和特點(diǎn)制冷片陶瓷基板在半導(dǎo)體制冷器中的應(yīng)用半導(dǎo)體制冷技術(shù)因具有環(huán)境友好、無(wú)噪聲、運(yùn)行平穩(wěn)、耗材少、使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)受到廣泛關(guān)注，陶瓷基板在集成電路、通訊、汽車、醫(yī)療以及家電日用等方面具有極大的發(fā)展?jié)摿?。隨著技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展，以及人們對(duì)環(huán)境的日益重視，半導(dǎo)體制冷器的市場(chǎng)需求會(huì)越來(lái)越高，前景廣闊。半導(dǎo)體制冷器的應(yīng)用陶瓷基板在半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)增長(zhǎng)迅速，據(jù)MarketsandMarkets研究數(shù)據(jù)，半導(dǎo)體熱電器件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2021年的5.93億美元增長(zhǎng)至2026年的8.72億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率為8.0%，這也將給陶瓷基板帶來(lái)機(jī)遇。二、陶瓷基板在半導(dǎo)體制冷器中的作用

2022-05-25 http://xphdx.cn/Article/taocijibanzaibandaotz.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]陶瓷基板表面金屬化5個(gè)類別以及不同金屬化特性對(duì)比

陶瓷基板經(jīng)過(guò)燒結(jié)成型為了實(shí)現(xiàn)更好的電氣性能，便于做圖形電路需要在表面做金屬化。金屬化實(shí)現(xiàn)金屬和陶瓷的結(jié)合力，是實(shí)現(xiàn)封裝的重要環(huán)節(jié)。那么陶瓷基板表面金屬化有哪些方面？采用不同金屬化性能特性有什么不同？陶瓷基板表面金屬化5個(gè)類別：共燒法 (HTCC和LTCC) 、厚膜法 (TFC) 、直接敷銅法 (DBC) 、直接敷鋁法 (DBA) 及薄膜法 (DPC) 等幾種類別。一，共燒法共燒多層陶瓷基板因利用厚膜技術(shù)將信號(hào)線、微細(xì)線等無(wú)源元件埋入基板中能夠滿足集成電路的諸多要求, 故在近幾年獲得了廣泛的關(guān)注。共燒法有兩種, 一種是高溫共燒 (HTCC) , 另一種是低溫共燒 (LTCC) ,

2021-05-21 http://xphdx.cn/Article/taocijibanbiaomianji.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]金屬化陶瓷基板的物理特性

陶瓷基板金屬化后實(shí)現(xiàn)了陶瓷基板良好的導(dǎo)電性能，因?yàn)樘沾苫褰^緣性很好，因而散熱性很高。今天小編要講述是金屬化陶瓷基板的特性。陶瓷基板金屬薄膜附著力一般都是大于10牛頓陶瓷基板薄膜金屬化，一般金屬化是腹銅，以及表面處理鍍金、沉金、沉鎳鈀金等，以實(shí)現(xiàn)陶瓷基板更好的電氣性能。采用磁控濺射技術(shù)實(shí)現(xiàn)陶瓷金屬化在近幾年得到了快速的發(fā)展。磁控濺射技術(shù)相對(duì)于傳統(tǒng)的化學(xué)鍍、電鍍、燒滲金屬、蒸發(fā)鍍膜、金屬噴鍍等技術(shù)而言，磁控濺射技術(shù)制備的陶瓷金屬化產(chǎn)品具有產(chǎn)品性能好、一致性高、環(huán)保、成本低等優(yōu)點(diǎn)。但是，在某些陶瓷產(chǎn)品如氧化鋁、氮化鋁、鈦酸鎂和氧化鋯等陶瓷表面制備的金屬化薄膜的附著力相對(duì)較差。為了提高陶瓷表面金屬化薄膜附著力，專利CN104072206B公開(kāi)了一種采用真空烘烤對(duì)基片進(jìn)行除濕處理提高氮化鋁陶瓷基片厚膜附著力的方法，但是

2020-10-16 http://xphdx.cn/Article/jinshuhuataocijiband.html
[常見(jiàn)問(wèn)題]脈沖電流陶瓷電路（基）板的技術(shù)和應(yīng)用

市場(chǎng)上諸如LED level-I封裝基板、LED level-II系統(tǒng)板、LED COB電路板、IGBT功率模組基板、車用電子電路載板、制冷晶片載板、HCPV電路板、醫(yī)療電子產(chǎn)品電路板等等此類金屬化陶瓷電路(基)板之應(yīng)用領(lǐng)域越趨廣泛，這一切皆歸因于陶瓷材料其優(yōu)異的絕緣耐電壓物理特性、化學(xué)穩(wěn)定性、及其高性價(jià)比的導(dǎo)熱系數(shù)特性(氧化鋁導(dǎo)熱系數(shù)約20～27W/m·K、氮化鋁導(dǎo)熱系數(shù)約170～190/m·K)等優(yōu)勢(shì)。

2020-05-28 http://xphdx.cn/Article/maichongdianliutaoci.html
[行業(yè)動(dòng)態(tài)]五個(gè)問(wèn)題解答全面認(rèn)知陶瓷基板金屬化

金屬化陶瓷基板目前是陶瓷基板的一種，那么陶瓷基板金屬化是什么？陶瓷基板金屬化技術(shù)方法都有哪一些？什么是高溫共陶瓷金屬化？工藝流程是什么？在哪里生產(chǎn)？等問(wèn)題，今天小編一一解答。

2019-12-07 http://xphdx.cn/Article/wugewentijiedaquanmi.html