從基材性能告訴你氮化鋁和氧化鋁陶瓷基板工藝有什么不同

氮化鋁陶瓷基板和氧化鋁陶瓷基板都同屬于陶瓷基板，他們的制作工藝大致是一樣的，都有都才可以采用薄膜工藝和厚膜工藝，DBC工藝、HTCC工藝和LTCC工藝，那么不同的什么呢？

氮化鋁和氧化鋁陶瓷基板工藝的不同主要是因為基材的性能和結(jié)構(gòu)決定了， 他們燒結(jié)溫度的不同。

氮化鋁陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和性能原理：

1、氮化鋁陶瓷 (Aluminium Nitride Ceramic)是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。

2、AIN晶體以〔AIN4〕四面體為結(jié)構(gòu)單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，屬六方晶系。

3、化學組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。

4、為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(shù)(4.0-6.0)X10(-6)/℃。

5、多晶AIN熱導率達260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。

6、此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。

  氧化鋁陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和性能：

1、氧化鋁陶瓷是一種以氧化鋁(Al2O3)為主體的陶瓷材料，用于厚膜集成電路。

2、氧化鋁陶瓷有較好的傳導性、機械強度和耐高溫性。需要注意的是需用超聲波進行洗滌。

3、氧化鋁陶瓷是一種用途廣泛的陶瓷，因為其優(yōu)越的性能，在現(xiàn)代社會的應用已經(jīng)越來越廣泛，滿足于日用和特殊性能的需要。

 對比可知：氮化鋁和氧化鋁陶瓷基板工藝的最大區(qū)別主要是燒結(jié)溫度的區(qū)別。

氮化鋁陶瓷基板是氧化鋁陶瓷基板5-8倍，能耐2200℃的極的級熱，導熱可達260W/(m.k)，氧化鋁陶瓷基板導熱一般在30W/(m.k)左右，好的可以做到50W/(m.k).氮化鋁陶瓷陶瓷可以加工更加精密的線路，耐高溫，更耐壓，制作工藝相對氧化鋁陶瓷基板而已燒結(jié)的溫度把控是不一樣的。如果是一個需要用氮化鋁陶瓷基板的高精密線路板，用氧化鋁陶瓷基板來替代，那肯定會造成基材大量的耗費，制作的難度增加，良品率和低。

以上是小編講述的氮化鋁和氧化鋁陶瓷基板工藝不同點的闡述，希望可以解答這個問題。更多陶瓷基板的工藝問題可以咨詢金瑞欣特種電路，金瑞欣是專業(yè)的陶瓷基板生產(chǎn)廠家，擁有十多年陶瓷基板的行業(yè)經(jīng)驗和制作經(jīng)驗。