高質(zhì)量深紫外LED封裝陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和封裝方法

深紫外LED封裝陶瓷基板出光率高，量子質(zhì)量好，工作溫度低，提供的深紫外LED大功率光功率密度,也極大改善了器件的可靠性.小編將簡(jiǎn)述深紫外LED封裝陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和封裝方法。

深紫外LED的封裝支架和封裝結(jié)構(gòu)

一種深紫外LED的封裝支架和封裝結(jié)構(gòu).深紫外LED的封裝結(jié)構(gòu)包括深紫外LED芯片,玻璃蓋板和封裝支架,封裝支架包括陶瓷基板和圍壩,陶瓷基板包括陶瓷板和布置在陶瓷板表面的金屬化圖形層,圍壩固定在陶瓷基板的頂面上;圍壩的內(nèi)壁為金屬內(nèi)壁,金屬內(nèi)壁包括反光杯;圍壩通過(guò)粘接層或焊接層固定在陶瓷基板的頂面上,當(dāng)圍壩通過(guò)粘接層固定在陶瓷基板的頂面時(shí),圍壩的金屬內(nèi)壁遮蓋粘接層的內(nèi)周.深紫外LED芯片貼裝于陶瓷板頂面的金屬化圖形層的線路上,玻璃蓋板焊接在圍壩的頂部.實(shí)用新型能有效地把芯片發(fā)出的紫外光導(dǎo)出封裝體外,不僅封裝結(jié)構(gòu)的出光率高,而且芯片的工作溫度較低.

基于高質(zhì)量AlN模板的深紫外LED

隨著基于InGaN材料的藍(lán)光LED的技術(shù)日趨成熟并廣泛應(yīng)用,越來(lái)越多的研究者逐漸將研究興趣轉(zhuǎn)移到波長(zhǎng)更短的氮化物L(fēng)ED——基于AlGaN材料的紫外乃至深紫外LED.紫外LED在生化探測(cè),殺菌消毒,聚合物固化,無(wú)線通訊及白光照明等領(lǐng)域都有重大應(yīng)用價(jià)值,據(jù)估計(jì)其潛在市場(chǎng)價(jià)值高達(dá)數(shù)十億美元.但是,從發(fā)光功率和效率而言,目前的UV-LED還遠(yuǎn)不能令人們滿意.目前實(shí)驗(yàn)室報(bào)導(dǎo)的InGaN基藍(lán)光LED的量子效率最好結(jié)果已經(jīng)超過(guò)70%,相比之下, AlGaN基紫外LED的量子效率要低的多,尤其是波長(zhǎng)在UV-B(290-320nm),UV-C(200-290nm)波段的深紫外LED,量子效率一般不超過(guò)2%.造成這一問(wèn)題的一個(gè)重要原因在于難于外延生長(zhǎng)高質(zhì)量的AlGaN材料,Al組分越高,外延生長(zhǎng)困難越大,晶體質(zhì)量越低.通過(guò)典型的兩步法生長(zhǎng)的AlGaN外延薄膜中的位錯(cuò)密度普遍在1010/cm-2乃至更高.低的晶體質(zhì)量同時(shí)增加了AlGaN的摻雜困難,進(jìn)一步導(dǎo)致量子效率低下.針對(duì)這一問(wèn)題,以高溫AlN模板為基礎(chǔ),外延生長(zhǎng)獲得了高質(zhì)量的AlGaN材料,并在此基礎(chǔ)上制作了深紫外LED.

一種高可靠性大功率紫外LED集成封裝方法

高可靠性大功率紫外LED集成封裝方法,首先將高導(dǎo)熱陶瓷基板作為支撐板,并在高導(dǎo)熱陶瓷基板兩端固定安裝有金屬圍壩;然后將大尺寸硅板固定安裝在高導(dǎo)熱陶瓷基板上,紫外LED芯片固定安裝在大尺寸硅板上;通過(guò)金線將紫外LED芯片與金屬電極和大尺寸硅板電性連接;最后在金屬圍壩上固定玻璃蓋板,完成結(jié)構(gòu)封裝.本發(fā)明通過(guò)采用高導(dǎo)熱陶瓷基板結(jié)合大尺寸硅板和玻璃蓋板,通過(guò)金線將紫外LED芯片分別與金屬電極和大尺寸硅板進(jìn)行電氣連接,實(shí)現(xiàn)了適用于垂直,水平,倒裝結(jié)構(gòu)紫外LED芯片的大功率集成全無(wú)機(jī)封裝結(jié)構(gòu),這不僅提高了光功率密度,也極大改善了器件的可靠性.

更多相關(guān)問(wèn)題可以咨詢金瑞欣特種電路，金瑞欣定制的深紫外LED陶瓷基板，采用的是高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基板來(lái)加工制作的，還可以制作圍壩工藝，收到客戶好評(píng)。