国产一区二区三区四区五区美女,人人超碰人人,欧美疯狂做爰3xxx高清,av老司机在线

新聞詳情

氧化鋁基板制造技術(shù)詳解!

23 2023-05-04
氧化鋁陶瓷基板

一、A12O3陶瓷的基本性質(zhì)。

  • 優(yōu)良的機械強度;

  • 良好的導(dǎo)熱特性,適用于高溫環(huán)境;

  • 具有耐抗侵蝕和磨耗性;

  • 高電氣絕緣特性。良好表面特性,提供優(yōu)異平面度與平坦度;

  • 抗震效果佳;

  • 低曲翹度;

  • 高溫環(huán)境下穩(wěn)定性佳;

  • 可加工成各種復(fù)雜形狀;


二、A12O3晶體結(jié)構(gòu)

  • 具有多種同質(zhì)異晶體;

  • a(三方)、b(六方)、g(四方)、h(等軸)、r(晶系未定)、x(六方)、k(六方)、δ(四方)、θ(單斜)-A12O3等十多種變體;

  • 主要有a(三方)、b(六方)、g(四方)相;

  • a-A12O3為高溫穩(wěn)定相,工業(yè)上使用最多。


三、A12O3陶瓷的分類及性能

四、A12O3陶瓷原料生產(chǎn)

五、A12O3 陶瓷基板制作方法

1、A12O3陶瓷成型

  • 助燒劑:

厚膜用:A12O3-SiO2-MgO、CaO,提高金屬化層的浸潤性;


薄膜用:0.2w% MgO,得到密度高、表面平滑基板,MgO抑制燒成時A12O3顆粒長大(Cr2O3抑制MgO表面蒸發(fā))。

  • 粘結(jié)劑:

PVB(聚乙烯醇聚丁醛樹脂)

  • 分散劑:

DBP(鄰苯二甲酸二丁酯)、魚油、合成油

  • 燒成溫度:

1500-1600C°

  • 氣氛

加濕H2、H2-N2、NH3的分解混合劑


2、A12O3陶瓷金屬化

  • 共燒法

  • 厚膜法

  • 薄膜法

  • 難熔金屬法

3、A12O3基板表面金屬化-難熔金屬法

  • 1938年德利風(fēng)根(德)、西門子公司

  • Mo法、Mo-Mn法、Mo-Mi法

  • Mo-Mn法(常用):以耐熱金屬Mo粉為主成分,易形成氧化物Mn為副成本,混合成漿料,涂布在表面已研磨、處理的A12O3基板表面,在加濕氣氛高溫燒結(jié)金屬層。

Mn+H2O→Mno+H2

Mno+A12O3→MnO.A12O3

  • 此外,在表面電鍍Ni、Au、Ag等,改善導(dǎo)體膜的焊接性能。

六、A12O3陶瓷基板的應(yīng)用

(a)混合集成電路用基板

  • 厚膜混合IC用基板

表面粗糙度↑,價格↓,與布線導(dǎo)體結(jié)合力↑;口常用96wt%的A12O3基板。

  • 薄厚膜用混合IC用基板

厚度幾百nm以下,薄膜的物理性能、電氣性能受表面影響很大;

保證表面平滑,表面被覆玻璃釉(幾十微米)。

  • 薄膜混合IC用基板

純度99%以上,表面粗糙度小。


(1)LSI用基板

  • 同事燒成技術(shù)制作的LSI封裝,氣密性好、可靠性高;

  • 機械強度高、導(dǎo)熱率高,在多端子、細引腳節(jié)距、高散熱性等高密度封裝中,A12O3作用重大。

(2)多層電路基板

相關(guān)資訊

4000-806-106

相關(guān)產(chǎn)品

4000-806-106