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[行業(yè)動態(tài)]高壓大功率IGBT模塊首選封裝材料——AMB陶瓷基板

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和雙極晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型復(fù)合功率器件，具有輸入阻抗大、驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快、工作頻率高、飽和壓降低、安全工作區(qū)大和可耐高電壓和大電流等一系列優(yōu)點，大規(guī)模應(yīng)用于電動汽車、電力機車里的電機驅(qū)動以及并網(wǎng)技術(shù)、儲能電站、工業(yè)領(lǐng)域的高壓大電流場合的交直流電轉(zhuǎn)換和變頻控制等領(lǐng)域，是電力電子領(lǐng)域中最重要的大功率器件，是綠色經(jīng)濟的核“芯”。

2024-03-18 http://xphdx.cn/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板助力高功率器件散熱消暑

電路板被很多人譽為電子產(chǎn)品之母，它是計算機、手機等消費電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，在醫(yī)療、航空、新能源、汽車等行業(yè)有著廣泛應(yīng)用?？v觀全球技術(shù)發(fā)展簡史，每一次技術(shù)進步都直接或間接影響著全人類。在電路板誕生之前，電子設(shè)備都包含許多電線，它們不僅會糾纏在一起，占用大量空間，而且短路的情況也不罕見。這個問題對于電路相關(guān)的工作人員來說是個非常頭疼的問題。1925年，來自美國的Charles Ducas提出了一個前所未有的想法，即在絕緣基板上印刷電路圖案，隨后進行電鍍以制造用于布線的導(dǎo)體，專業(yè)術(shù)語“PCB”由此而來，這種方法使制造電器電路變得更為簡單。

2023-08-25 http://xphdx.cn/Article/taocijibanzhuligaogo.html
[行業(yè)動態(tài)]陶瓷基板—過去與未來!

電路板被很多人譽為電子產(chǎn)品之母，它是計算機、手機等消費電子產(chǎn)品的關(guān)鍵部件，在醫(yī)療、航空、新能源、汽車等行業(yè)有著廣泛應(yīng)用?？v觀發(fā)展簡史，每一次技術(shù)進步都直接或間接影響著全人類。在電路板誕生之前，電子設(shè)備都包含許多電線，它們不僅會糾纏在一起，占用大量空間，而且短路的情況也不罕見。這個問題對于電路相關(guān)的工作人員來說是個非常頭疼的問題。

2023-07-12 http://xphdx.cn/Article/taocijibanguoquyuwei.html
[行業(yè)動態(tài)]制備高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板的影響因素淺析

氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，這無疑是一種非常理想的散熱性能良好的基板材料。目前國內(nèi)市場上，氧化鋁和氮化鋁陶瓷基片已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，但高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷作為商用電子器件的基板材料仍是一大難題，只有國外的一些公司可以實現(xiàn)氮化硅陶瓷基板商業(yè)化，那到底是什么因素阻礙了這么優(yōu)秀的的陶瓷基板發(fā)展呢？這就得從氮化硅獨特的化學(xué)成分和微觀結(jié)構(gòu)說起。晶格氧對高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷的影響氮化硅的主要傳熱機制是晶格振動，通過聲子來傳導(dǎo)熱量。晶格振動并非是線性的，晶格間有著一定的耦合作用，聲子間會發(fā)生碰撞，使聲子的平均自由程減小。另外，Si3N4晶體中的各種缺陷、雜質(zhì)以及晶粒界面都會引起聲子的散射，也等效于聲子平均自由程減小，從而降低熱導(dǎo)率?！锜Y(jié)體的典型微觀結(jié)構(gòu)研究表明，在諸多晶格缺陷中，晶格氧是影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的主要缺陷之一。氧原

2023-03-10 http://xphdx.cn/Article/zhibeigaodaoredanhua.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB陶瓷基板在IGBT上的應(yīng)用介紹

根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應(yīng)用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工藝，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工藝，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工藝

2023-03-08 http://xphdx.cn/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[行業(yè)動態(tài)]高導(dǎo)熱率氮化硅散熱陶瓷基板材料的研究進展

摘要：針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題，主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方法、燒結(jié)助劑的選擇、以及氮化硅陶瓷機械性能和介電性能等方面的最新研究進展作了詳細論述，最后總結(jié)了高熱導(dǎo)率氮化硅作為散熱基板材料的發(fā)展趨勢。引言隨著我國高鐵、航天、軍工等領(lǐng)域的快速發(fā)展，未來對大功率電力電子器件的需求也將越來越大。為了適應(yīng)更加復(fù)雜、苛刻的應(yīng)用條件，大功率電力電子器件朝著高溫、高頻、低功耗以及智能化、模塊化、系統(tǒng)化方向發(fā)展，這對整個電子器件的散熱提出了嚴峻的挑戰(zhàn)，而功率器件中基板的作用是吸收，芯片產(chǎn)生的熱量，并傳到熱沉上，實現(xiàn)與外界的熱交換，所以制備高熱導(dǎo)率基板材料成為研發(fā)大功率模塊電子產(chǎn)品的關(guān)鍵所在。例如目前大功率 LED 的發(fā)光效率僅有

2022-12-09 http://xphdx.cn/Article/gaodaorelvdanhuaguis.html
[行業(yè)動態(tài)]高導(dǎo)熱率碳化硅陶瓷五大燒結(jié)方法

目前，氮化硅陶瓷的燒結(jié)方法主要有反應(yīng)燒結(jié)法（RS）、熱壓燒結(jié)法（HPS）、常壓燒結(jié)發(fā)（PLS）和氣壓燒結(jié)法（GPS）等。1反應(yīng)燒結(jié)法制備氮化硅最早的使用方法。先將硅粉和粘結(jié)劑通過干壓、等靜壓方法成型后，再在1200-1500°C溫度條件下氮化燒結(jié)得到氮化硅陶瓷。反應(yīng)燒結(jié)法具有燒結(jié)前后線收縮率低、成本低的優(yōu)點，但也有致密度小，力學(xué)性能差的缺點。適合制造形狀復(fù)雜，尺寸精確的零件。在實驗中按名義組成Si3N4>80wt.%，（Y2O3+La2O3）<20wt.%加入Si粉和La2O3粉進行混合成型。然后在1200-1500°C下反應(yīng)燒結(jié)，并將反應(yīng)燒結(jié)的初置于氣壓燒結(jié)爐內(nèi)，在1-9MPa壓力和1900°C的條件下保溫三小時，制備了氮化硅陶瓷。并檢驗了其熱導(dǎo)率，在1000°C時熱導(dǎo)率為19.43W/（m.k

2022-12-07 http://xphdx.cn/Article/gaodaorelvtanhuaguit.html
[行業(yè)動態(tài)]高導(dǎo)熱率氧化硅陶瓷的影響因素（二）

高導(dǎo)熱率氮化硅陶瓷是獲得高導(dǎo)熱率氮化硅散熱基板的前提，而影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素很多。例如，氮化硅陶瓷的致密度、相阻度、燒結(jié)時晶種的加入、晶格氧含量、晶粒的尺寸、形狀排列方式等都對氮化硅陶瓷的趙得率有著巨大的影響。在制備氮化硅陶瓷中，反應(yīng)物中的孔隙率為12%-25%了，而氣體的熱導(dǎo)率一般較低，故致密度越大，孔隙率越低，熱導(dǎo)率越高。氮化硅具有α和β 兩種晶體相，其中相中的氧含量高于β相中的氧含量，而氧雜質(zhì)對聲子具有散射的作用，因此氮化硅陶瓷中β/α的值越大，熱導(dǎo)率越高。當燒結(jié)高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷時，在 Si?N4原料中加入尺寸較大的β-Si?N4晶種，為 β-Si?N4。晶粒的結(jié)晶提供晶核，將晶界相逐漸排擠進入多晶交界處，從而提高熱導(dǎo)率： Naoto , Hirosaki 等用β一Si?N4 作為原料，研究添加

2022-12-05 http://xphdx.cn/Article/gaodaorelvyanghuagui.html
[常見問題]amb陶瓷基板用在什么地方

amb陶瓷基板用在什么地方 amb陶瓷基板是活性釬焊工藝陶瓷基板，具有高熱導(dǎo)率、耐高溫、較低的熱膨脹系數(shù)、高的機械強度、耐腐蝕以及絕緣性好、抗輻射的優(yōu)點。在電子器件封裝中得到廣泛應(yīng)用，適應(yīng)半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進。Amb技術(shù)的優(yōu)勢AMB技術(shù)是在DBC（直接覆銅法）技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的。相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導(dǎo)率、更好的銅層結(jié)合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢。Amb陶瓷基板有哪些陶瓷材料根據(jù)陶瓷材質(zhì)的不同，目前成熟應(yīng)用的AMB陶瓷基板可分為：氧化鋁、氮化鋁和氮化硅基板。氧化鋁amb陶瓷基板考慮到導(dǎo)熱系數(shù)不高，散熱能力有限，但是成本較低，一般用于

2022-07-16 http://xphdx.cn/Article/ambtaocijibanyongzai.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅陶瓷基板應(yīng)力新的發(fā)展前景

氮化硅陶瓷基板應(yīng)力新的發(fā)展前景最近幾年，氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料在我國得到了大力發(fā)展，要使用第三代半導(dǎo)體材料生產(chǎn)出大功率半導(dǎo)體器件，如果沒有功率集成電路陶瓷基板，半導(dǎo)體器件的散熱效果將會大大降低、降低該器件的使用效果。陶瓷基板性能以及各類陶瓷基板性能參數(shù)對比：由于陶瓷基板具有延展性低和韌性低、耐高溫；較高的氣密性，可隔離水汽、氧氣和灰塵等特點，被廣泛應(yīng)用到功率集成電路中。目前應(yīng)用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有:氧化鈹(BeO)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)和碳化硅(SiC)等。無論是高鐵、新能源汽車、高端機床、風(fēng)力、光伏逆變，還是高端手機、消費電子以及各種自動化設(shè)備都需要電子電力集成電路進行驅(qū)動，這是一個超千億級的大市場。在這個超級大市場中，功

2022-03-21 http://xphdx.cn/Article/danhuaguitaocijibany.html
[常見問題]氮化硅的雙層鈍化減反射膜比單層減反射膜對比效果

氮化硅的雙層鈍化減反射膜比單層減反射膜對比效果氮化硅陶瓷的應(yīng)用隨著技術(shù)需要越來越多，在交通軌道、電力、新能源汽車電子、光伏設(shè)備、功率半導(dǎo)體器件、太陽能電池等方面廣泛應(yīng)用。今天小編主要講述氮化硅陶瓷在太陽電池制造的運用。氮化硅薄膜作為表面介質(zhì)層在傳統(tǒng)晶硅太陽電池制造中被廣泛應(yīng)用，它能夠很好地鈍化多晶硅片表面及體內(nèi)的缺陷和減少入射光的反射。氮化硅膜層中硅的含量增高，折射率和消光系數(shù)均相應(yīng)增高，隨之氮化硅對光的吸收就會增強，所以高折射率、高消光系數(shù)的薄膜不適合作為減反膜；但是相應(yīng)地增加硅的含量，表面鈍化作用呈現(xiàn)增強趨勢。為了兼顧氮化硅膜層的鈍化和減反射效果，對于多晶太陽電池普遍采用雙層氮化硅膜的減反射膜層，即先淀積一層高折射率的氮化硅可以更好地鈍化太陽電池的表面，然后生長

2022-01-21 http://xphdx.cn/Article/danhuaguideshuangcen.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化硅陶瓷基板材料發(fā)展走向普及化需要幾步？

氮化硅陶瓷基板材料發(fā)展走向普及化需要幾步？一，氮化硅陶瓷基板材料的研究背景：我國軍工航天、高鐵重工等領(lǐng)域的飛速發(fā)展，促使各項科技行業(yè)對大功率電子器件的需求逐步加大。為適應(yīng)更為苛刻復(fù)雜的應(yīng)用條件，大功率電子器件必須朝著耐高溫、高頻、低功耗及智能化、系統(tǒng)化、模塊化的方向發(fā)展。延伸到功率器件的組成部件上來看，其中基板的作用就是吸收芯片產(chǎn)生的熱量，并將熱量傳到熱沉上，由此實現(xiàn)與外界的熱交換。因此制備高熱導(dǎo)率基板材料成為研發(fā)大功率模塊電子產(chǎn)品的關(guān)鍵所在。大功率散熱基板材料要求具有低成本、高電絕緣性、高穩(wěn)定性、高導(dǎo)熱性及與芯片匹配的熱膨脹系數(shù)（CTE）、平整性和較高的強度等。為了滿足這些要求，研究人員將目光投向了金屬氧化物、陶瓷、聚合物以及復(fù)合材料等。被實

2022-01-15 http://xphdx.cn/Article/danhuaguitaocijibanc.html
[行業(yè)動態(tài)]AMB基板將成為大功率IGBT和第三代半導(dǎo)體模塊封裝核心需求

大功率IGBT和第三代半導(dǎo)體封裝基板是用DBC基板好呢還是用AMB基板好，AMB基板具有更好導(dǎo)熱性能的同時，熱循環(huán)非常好，熱阻小，可以成載更大電流和電壓等。未來amb陶瓷基板將成為大功率IGTB和第三代半導(dǎo)體模塊封裝基板的“香餑餑”。

2022-01-06 http://xphdx.cn/Article/AMBjibanjiangchengwe.html
[常見問題]氮化硅陶瓷的特點以及結(jié)構(gòu)特性

氮化硅陶瓷的特點和優(yōu)勢：高性能氮化硅陶瓷具有優(yōu)異的耐高溫、高強度、高絕緣、耐磨損與耐腐蝕等優(yōu)良性能，子航天航空、軌道交通、電子、醫(yī)藥等高端裝備制造領(lǐng)域廣泛用于軸承滾動體、絕緣零部件、特種構(gòu)件等，已經(jīng)成為傳統(tǒng)工業(yè)改造、新興產(chǎn)業(yè)和高新技術(shù)中必不可少的重要材料。氮化硅陶瓷同時具有高抗熱震性、高抗氧化性、無毒等特點，被認為是一種很有潛力的高速電路和大功率器件散熱和封裝材料。二，氮化硅陶瓷的結(jié)構(gòu)特點氮化硅陶瓷具有以下結(jié)構(gòu)特點：1，平均原子量??；2，原子鍵合強度高3，晶體結(jié)構(gòu)較為簡單，4，晶體非諧性振動低。居于以上結(jié)構(gòu)特點，氮化硅陶瓷將會成為高熱導(dǎo)率陶瓷家族的一員。1）原料的選擇氮化硅具有兩種晶型：α-SiN4、β

2021-04-27 http://xphdx.cn/Article/danhuaguitaocidetedi.html
[常見問題]高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板導(dǎo)熱率的現(xiàn)狀和發(fā)展

風(fēng)力發(fā)電、混合動力汽車、LED照明等領(lǐng)域以為環(huán)保的要求，電子器件中的散熱基板提出了更高的要求，傳統(tǒng)的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO熱導(dǎo)率和力學(xué)性能等也不是很完美，市場的發(fā)展需要自然會使得某一種產(chǎn)品成為發(fā)展趨勢。

2021-04-13 http://xphdx.cn/Article/gaodaoredanhuaguitao.html
[常見問題]AMB陶瓷基板的優(yōu)勢、可靠性及其應(yīng)用

第三代半導(dǎo)體的崛起和發(fā)展推動了功率器件尤其是半導(dǎo)體器件不斷走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前進，對封裝基板性能提升起到了很大的促進作用。陶瓷基板也是陶瓷電路板在電子器件封裝中得到廣泛應(yīng)用主要是緣于陶瓷基板具有高熱導(dǎo)率、耐高溫、較低的熱膨脹系數(shù)、高的機械強度、耐腐蝕以及絕緣性好、抗輻射的優(yōu)點。陶瓷基板工藝有很多種，除了DPC、DBC、HTCC、LTCC之外，還有目前備受關(guān)注的AMB（Active Metal Bonding）技術(shù)，即活性金屬釬焊技術(shù)。一，什么是活性金屬釬焊技術(shù)？AMB技術(shù)是指，在800℃左右的高溫下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反應(yīng)，從而實現(xiàn)陶瓷與金屬異質(zhì)鍵合的一種工藝技術(shù)。AMB陶瓷基板，一般是這樣制作的：首先通過絲網(wǎng)印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上

2021-02-26 http://xphdx.cn/Article/AMBtaocijibandexingn.html
[常見問題]氮化硅陶瓷覆銅基板的可靠性決定了它的市場定位

氮化硅具有高熱導(dǎo)率,低熱阻,高抗彎強度,高斷裂韌性,耐高溫,耐磨損,耐腐蝕等一系列優(yōu)異的物理特性,因此,其正逐漸成為寬禁帶大功率半導(dǎo)體器件首選的基板材料.氮化硅陶瓷覆銅基板優(yōu)異的高可靠性使其成為高鐵,電動汽車等領(lǐng)域功率模塊最有前途的基板材料之一。也正因此奠定了氮化硅覆銅陶瓷基板的可靠性和市場地位。 1，氮化硅陶瓷覆銅基板的制作工藝高性能氮化硅陶瓷粉體的特性對氮化硅陶瓷覆銅基板的成型，燒結(jié)以及最終的性能有很大的影響作用。目前氮化硅陶瓷覆銅基板只有日本廠商具備量產(chǎn)能力,國內(nèi)進口困難,阻礙了相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展.采用氣壓燒結(jié)實現(xiàn)了高性能氮化硅陶瓷基板的制備,并通過活性金屬釬焊工藝獲得了氮化硅陶瓷

2020-12-18 http://xphdx.cn/Article/danhuaguitaocifutong.html
[常見問題]三大特種陶瓷覆銅板導(dǎo)熱及應(yīng)用

在軍用功率器件和民用電力電子器件封裝領(lǐng)域，需要能載大電流的器件。銅箔具有極高的載流能力和散熱能力，適合用作大功率器件封裝基板的導(dǎo)體。而特種陶瓷由于耐高壓能力強，被用作封裝基板的載體。氧化鋁陶瓷、氮化鋁陶瓷、氮化硅陶瓷是三大重要的陶瓷基板。

2020-04-30 http://xphdx.cn/Article/sandatezhongtaocifut.html
[行業(yè)動態(tài)]氮化鋁陶瓷基板在IGBT模塊的深度研究

電動汽車、電力機車、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域需要實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和控制的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)作為電力電子器件。氮化鋁陶瓷覆銅板既具有陶瓷的高導(dǎo)熱性、高電絕緣性、高機械強度、低膨脹等特性，又具有無氧銅的高導(dǎo)電性和優(yōu)異的焊接性能，是IGBT模塊封裝的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。本文采用直接覆銅工藝(DBC)和活性金屬焊接工藝(AMB)制備了氮化鋁陶瓷覆銅板，對比了兩種工藝的異同點和制備的氮化鋁陶瓷覆銅板的性能差異，并指出氮化硅陶瓷覆銅板有望在下一代功率模塊上廣泛應(yīng)用。

2020-01-14 http://xphdx.cn/Article/danhualvtaocijibanzd.html
[常見問題]陶瓷基板廠家分享氮化硅陶瓷及其與金屬的結(jié)合技術(shù)

高性能氮化鋁陶瓷具有優(yōu)異的耐高溫。高強度、高絕緣、耐磨損與耐腐蝕等優(yōu)良性能，在航空航天、軌道交通、電子、醫(yī)藥等高端裝備制造領(lǐng)域廣泛用于軸承滾動體、絕緣零部件、特種結(jié)構(gòu)件等，已經(jīng)成為傳統(tǒng)工業(yè)改造、新興產(chǎn)業(yè)和高新技術(shù)中心不可少的重要材料。

2019-08-24 http://xphdx.cn/Article/taocijibanchangjiafe.html