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氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板對(duì)比差異

626 2022-01-18
氮化硅基板 氮化鋁基板 氧化鋁基板

                                                               氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板對(duì)比差異

 氮化硅基板、氮化鋁基板、氧化鋁基板都是陶瓷基板,在散熱性、絕緣性、導(dǎo)熱性都很不錯(cuò),在各大需要散熱、絕緣、高頻等領(lǐng)域產(chǎn)品發(fā)揮了非常重要的左右,尤其是對(duì)汽車(chē)電子、消費(fèi)電子、電力、通訊、交通軌道、醫(yī)療、半導(dǎo)體、LED等領(lǐng)域作用非常大,那么氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板對(duì)比有什么差異呢?

 一,首先是氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板材料和性能不同

amb氮化硅陶瓷基板 

       可以看出氮化鋁基板導(dǎo)熱性最突出;氮化硅陶瓷基板高強(qiáng)度要更高,更耐壓;氧化鋁陶瓷基板介電常數(shù)最高,氮化硅基板介電損耗最低,熱膨脹系數(shù)氮化硅基最低。

 二,氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板市場(chǎng)應(yīng)用不同

       基于氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板特性不同,應(yīng)用領(lǐng)域有所不同,氮化鋁基板導(dǎo)熱性非常高比較適應(yīng)與高導(dǎo)熱、高絕緣性和大電流產(chǎn)品領(lǐng)域,比如高功率導(dǎo)熱器件、led大功率模組、激光領(lǐng)域,電源產(chǎn)品等等;氮化硅基板一方面高強(qiáng)度、導(dǎo)熱良好、熱膨脹系數(shù)與硅接近,耐壓性強(qiáng),被應(yīng)用到IGBT載板、電力、第三代半導(dǎo)體、汽車(chē)逆變器,減速器等電子等產(chǎn)品領(lǐng)域;氧化鋁陶瓷基板導(dǎo)熱性和絕緣性也都比較好,性價(jià)比最高,在傳感器、制冷片、導(dǎo)流片、LED照明等散熱和導(dǎo)熱有要求的產(chǎn)品領(lǐng)域,可以有效的彌補(bǔ)過(guò)去鋁基板和銅基板的不足,同時(shí)節(jié)省成本。

  三,氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板制作工藝略有不同

 材料不同,性能不同了,制作工藝有所不同。氧化鋁、氮化鋁、都可以采用DPC、DBC制作工藝,但是采用AMB工藝適用氮化硅、氮化鋁、增韌氧化鋁陶瓷基板;LTCC和HTCC工藝多采用氮化鋁陶瓷基板來(lái)做,是因?yàn)榈X陶瓷基板耐性和導(dǎo)熱性突出,經(jīng)過(guò)LTCC工藝后適用于高頻通訊產(chǎn)品,氮化鋁陶瓷基板經(jīng)過(guò)HTCC高溫?zé)Y(jié)工藝導(dǎo)熱性更強(qiáng)。

以上是小編分享的關(guān)于氮化硅基板與氮化鋁、氧化鋁基板的差異,更多陶瓷基板相關(guān)問(wèn)題可以咨詢金瑞欣特種電路,金瑞欣陶瓷電路板制作工藝成熟,是值得信賴的陶瓷基板電路板生產(chǎn)廠家。

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