氮化硅陶瓷覆銅基板是在氮化硅陶瓷基片的基材上通過(guò)技術(shù)手段把銅箔覆蓋到表面，實(shí)現(xiàn)金屬化后讓氮化硅陶瓷基板具備更好的導(dǎo)熱性能和電器性能。那么國(guó)內(nèi)做的氮化硅的陶瓷基板覆銅的廠家有哪些呢？什么樣的廠家生產(chǎn)的氮化硅陶瓷基板更好？

氮化硅陶瓷基板的特性

氮化硅陶瓷具有2.4倍于氧化鋁和氮化鋁的抗彎強(qiáng)度，因此具有比氮化鋁和氧化鋁高的多的可靠性，尤其是高強(qiáng)度可以實(shí)現(xiàn)其與厚銅基板的覆接，大幅提高基板的熱性能。相對(duì)于氮化鋁和氧化鋁，氮化硅陶瓷覆銅板在電流承載能力、散熱能力、力學(xué)性能、可靠性等方面均具有明顯優(yōu)勢(shì)。氮化硅陶瓷在熱導(dǎo)率方面不及氮化鋁陶瓷基板，因此在提升導(dǎo)熱方面成為關(guān)注的重點(diǎn)了。高導(dǎo)熱陶瓷應(yīng)具備以下條件：(1)平均原子量小;(2)原子鍵合強(qiáng)度高;(3)晶體結(jié)構(gòu)較為簡(jiǎn)單;(4)晶格非諧性振動(dòng)低。提高氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的方法包括：(1)β-Si3N4相晶種的引入;(2)燒結(jié)助劑的選擇;(3)成型工藝以及熱處理工藝。

 氮化硅陶瓷基板的覆銅工藝--AMB

 氮化硅陶瓷基板一般通過(guò)AMB工藝時(shí)間雙面覆銅，AMB工藝可以讓氮化硅陶瓷基板大幅提高基板的散熱性能，散熱性能可以提高到氧化鋁陶瓷基板的2-3倍。從而具備更強(qiáng)的電流承載能力、基板整體熱阻更低、耐溫度沖擊能力更強(qiáng)。氮化硅陶瓷基板具有高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱、高可靠的特點(diǎn)，可用濕法刻蝕工藝在表面制作電路，經(jīng)表面鍍覆后制得的一種用于高可靠性電子基板模塊封裝的基板材料。

國(guó)內(nèi)做氮化硅陶瓷基板覆銅的廠家有哪些？

能做氮化硅陶瓷基板覆銅的廠家，一定要具備穩(wěn)定優(yōu)質(zhì)的陶瓷基板材料供應(yīng)；以及精密的加工技術(shù)；熟練的AMB/DBC/DPC等陶瓷工藝，先進(jìn)的陶瓷基板切割鉆孔設(shè)備，完善的團(tuán)隊(duì)以及嚴(yán)格的品質(zhì)管理體系和質(zhì)量控制體系。才能制造出優(yōu)質(zhì)各項(xiàng)性能持久的產(chǎn)品，更多詳情可以咨詢金瑞欣特種電路，行業(yè)經(jīng)驗(yàn)十多年，值得信賴。