DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備

DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備DPC 陶瓷基板具備高線路精準(zhǔn)度、高表面平整度、高絕緣及高導(dǎo)熱的特性，在半導(dǎo)體功率器件封裝領(lǐng)域迅速占據(jù)了重要的市場(chǎng)地位，廣泛應(yīng)用于大功率 LED、半導(dǎo)體激光器、 VCSEL等領(lǐng)域。直接鍍銅（...

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22 2023-03

AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用

功率電子器件在電力存儲(chǔ)，電力輸送，電動(dòng)汽車，電力機(jī)車等眾多工業(yè)領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。隨著功率電子器件本身不斷的大功率化和高集成化，芯片在工作過程中將會(huì)產(chǎn)生大量的熱。如果這些熱量不能及時(shí)有效地發(fā)散出去，功率電子器件的工作性能將會(huì)受到影響，...

20 2023-03

IGBT用途及作用優(yōu)點(diǎn)主要應(yīng)用領(lǐng)域有哪些！

　IGBT是一種由控制電路來控制-是否導(dǎo)電的半導(dǎo)體；全稱：絕緣柵雙極型晶體管；兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面優(yōu)點(diǎn)；采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是解決能源短缺問題和降...

IGBT

17 2023-03

VCSEL激光器為什么要用DPC陶瓷基板

DPC陶瓷基板具備了高導(dǎo)熱、高絕緣、高線路精準(zhǔn)度、高表面平整度及熱膨脹系數(shù)與芯片匹配、可垂直互連等諸多特性，極大滿足了VCSEL的封裝要求，在VCSEL的應(yīng)用方面具有廣泛的前景。

DPC陶瓷基板

16 2023-03

IGBT模塊構(gòu)成各部件的材料

目前，功率器件和模塊主要采用引線鍵合的互連工藝和平面封裝結(jié)構(gòu)。圖1為普通IGBT模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。從上圖可以看出，IGBT模塊共由7層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，大致可以分成三部分：芯片、DBC和散熱基板。每部分之間由焊錫連接而成。IGBT是在晶閘管的基礎(chǔ)上...

IGBT模塊

15 2023-03

PCB平衡銅設(shè)計(jì)規(guī)范詳解

PCB制造是按照的一組規(guī)范從 PCB 設(shè)計(jì)構(gòu)建物理 PCB的過程。對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)范的理解非常重要，因?yàn)樗鼤?huì)影響 PCB 的可制造性、性能和生產(chǎn)良率。要遵循的重要設(shè)計(jì)規(guī)范之一是PCB 制造中的“平衡銅” 。必須在 PCB 疊層的每一層中實(shí)現(xiàn)一致的銅...

PCB

13 2023-03

碳化硅行業(yè)研究：把握能源升級(jí)+技術(shù)迭代的成長(zhǎng)機(jī)遇

下一代功率器件關(guān)鍵技術(shù)：碳化硅近年來，隨著 5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長(zhǎng)，硅基半導(dǎo)體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時(shí)限制體積、發(fā)熱和成本的快速 膨脹成為了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)重點(diǎn)關(guān)注的問題，以碳化硅為首的第...

氮化硅陶瓷基板