DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備

DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備DPC 陶瓷基板具備高線路精準度、高表面平整度、高絕緣及高導熱的特性，在半導體功率器件封裝領(lǐng)域迅速占據(jù)了重要的市場地位，廣泛應(yīng)用于大功率 LED、半導體激光器、 VCSEL等領(lǐng)域。直接鍍銅（...

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13 2023-03

碳化硅行業(yè)研究：把握能源升級+技術(shù)迭代的成長機遇

下一代功率器件關(guān)鍵技術(shù)：碳化硅近年來，隨著 5G、新能源等高頻、大功率射頻及電力電子需求的快速增長，硅基半導體器件的物理極限瓶頸逐漸凸顯，如何在提升功率的同時限制體積、發(fā)熱和成本的快速 膨脹成為了半導體產(chǎn)業(yè)內(nèi)重點關(guān)注的問題，以碳化硅為首的第...

氮化硅陶瓷基板

13 2023-03

IGBT模塊材料特性的熱導率和熱膨脹系數(shù)

IGBT功率模塊內(nèi)部由多層堆疊而成，各層的材料不同，其主要的作用也不同。金屬、陶瓷、硅凝膠和環(huán)氧樹脂塑料等，是目前功率半導體器件封裝的主要材料。不同材料的不同特性對IGBT器件的整體性能有著十分重要的影響，其中最主要的是影響散熱效果的材料熱...

IGBT陶瓷基板

10 2023-03

制備高導熱氮化硅陶瓷基板的影響因素淺析

氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，這無疑是一種非常理想的散熱性能良好的基板材料。目前國內(nèi)市場上，氧化鋁和氮化鋁陶瓷基片已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，但高導熱氮化硅陶瓷作為商用電子器件的基板材料仍是一大難題，只有國外的一些公司可以實現(xiàn)氮化硅陶瓷基板商業(yè)化，那到...

氮化硅陶瓷基板

08 2023-03

AMB陶瓷基板在IGBT上的應(yīng)用介紹

根據(jù)封裝結(jié)構(gòu)和應(yīng)用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應(yīng)用。其中...

AMB陶瓷基板

06 2023-03

PCB電路板及其電子元器件系統(tǒng)級散熱技術(shù)進展

由于 PCB 電路板及其電子元器件的高集成化、高功率化，電子設(shè)備的熱失效問題逐漸突出，并成為限制電子技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。本文介紹了PCB 電路板及其電子元器件的系統(tǒng)級散熱技術(shù)，分為單相散熱技術(shù)和多相散熱技術(shù)，論述了風冷、液冷、射流、熱電制冷、熱...

PCB電路板

03 2023-03

導熱絕緣材料在碳化硅模塊封裝中的應(yīng)用

隨著電力電子器件向高溫、高電壓、高頻率和大電流方向快速發(fā)展。器件封裝的拓撲結(jié)構(gòu)設(shè)計也逐漸朝著微型化及高功率密度方向演變。圖1為三菱SiC電力電子器件雙面封裝拓撲結(jié)構(gòu)，其中與電力電子器件相匹配的封裝材料，無論是起支撐作用的電路板（金屬絕緣基板...

碳化硅模塊封裝