DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產設備

DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產設備DPC 陶瓷基板具備高線路精準度、高表面平整度、高絕緣及高導熱的特性，在半導體功率器件封裝領域迅速占據(jù)了重要的市場地位，廣泛應用于大功率 LED、半導體激光器、 VCSEL等領域。直接鍍銅（...

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13 2023-03

IGBT模塊材料特性的熱導率和熱膨脹系數(shù)

IGBT功率模塊內部由多層堆疊而成，各層的材料不同，其主要的作用也不同。金屬、陶瓷、硅凝膠和環(huán)氧樹脂塑料等，是目前功率半導體器件封裝的主要材料。不同材料的不同特性對IGBT器件的整體性能有著十分重要的影響，其中最主要的是影響散熱效果的材料熱...

IGBT陶瓷基板

10 2023-03

制備高導熱氮化硅陶瓷基板的影響因素淺析

氮化硅在綜合性能方面表現(xiàn)最優(yōu)，這無疑是一種非常理想的散熱性能良好的基板材料。目前國內市場上，氧化鋁和氮化鋁陶瓷基片已經實現(xiàn)產業(yè)化，但高導熱氮化硅陶瓷作為商用電子器件的基板材料仍是一大難題，只有國外的一些公司可以實現(xiàn)氮化硅陶瓷基板商業(yè)化，那到...

氮化硅陶瓷基板

08 2023-03

AMB陶瓷基板在IGBT上的應用介紹

根據(jù)封裝結構和應用要求，陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和三維陶瓷基板兩大類。再根據(jù)實現(xiàn)陶瓷基板覆銅后再刻蝕的不同工藝，當前較普遍的陶瓷散熱基板分為 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工藝因可靠性更優(yōu)，逐漸成為主流應用。其中...

AMB陶瓷基板

06 2023-03

PCB電路板及其電子元器件系統(tǒng)級散熱技術進展

由于 PCB 電路板及其電子元器件的高集成化、高功率化，電子設備的熱失效問題逐漸突出，并成為限制電子技術發(fā)展的關鍵。本文介紹了PCB 電路板及其電子元器件的系統(tǒng)級散熱技術，分為單相散熱技術和多相散熱技術，論述了風冷、液冷、射流、熱電制冷、熱...

PCB電路板

03 2023-03

導熱絕緣材料在碳化硅模塊封裝中的應用

隨著電力電子器件向高溫、高電壓、高頻率和大電流方向快速發(fā)展。器件封裝的拓撲結構設計也逐漸朝著微型化及高功率密度方向演變。圖1為三菱SiC電力電子器件雙面封裝拓撲結構，其中與電力電子器件相匹配的封裝材料，無論是起支撐作用的電路板（金屬絕緣基板...

碳化硅模塊封裝

27 2023-02

氮化硅AMB基板：新能源汽車SiC功率模塊的首選工藝

Si3N4-AMB陶瓷基板熱導率高于90W/mk，厚銅層具有較高熱容量以及傳熱性，同時AMB工藝可將厚銅金屬(800μm)焊接到相對較薄的氮化硅陶瓷上，形成高載流能力；

氮化硅AMB基板