氮化硅陶瓷基板金屬化

氮化硅陶瓷基板機械性能非常好，硬度強，耐磨損，導熱系數在85w~90w，在一些需要較強硬度和導熱性的產品領域被備受歡迎。比如汽車減振器的載板、交通軌道，IGTB載板、第三代半導體等。既能作為載板起到散熱很支持的作用，又能實現線路層互連，起到良好的電氣性能作用，那么就需要在氮化硅陶瓷基板做金屬化工藝。

一，什么是氮化硅陶瓷基板金屬化

      氮化硅陶瓷基板金屬化，是在陶瓷基表面覆銅、或者做其他金屬。目前最常見的就是覆銅。氮化硅陶瓷基板金屬化后，通過線路、金屬孔等可以實現層級互連作用。

二，氮化硅陶瓷基板金屬化技術-AMB工藝

      氮化硅陶瓷基板金屬化技術多采用AMB工藝，AMB技術是指，在800℃左右的高溫下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金屬的界面潤濕并反應，從而實現陶瓷與金屬異質鍵合的一種工藝技術。AMB陶瓷基板，一般是這樣制作的：首先通過絲網印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上活性金屬焊料，再與無氧銅層裝夾，在真空釬焊爐中進行高溫焊接，然后刻蝕出圖形制作電路，最后再對表面圖形進行化學鍍。

三，氮化硅陶瓷基板AMB工藝與其他工藝的區(qū)別

       相比于傳統(tǒng)的DBC基板，采用AMB工藝制備的陶瓷基板，不僅具有更高的熱導率、更好的銅層結合力，而且還有熱阻更小、可靠性更高等優(yōu)勢。AMB氮化硅陶瓷覆銅基板，線路銅層較厚，導熱率較高、熱循環(huán)好、適合大功率和大溫變的器件產品。

         以上是小編闡述的關于，氮化硅陶瓷基板金屬化工藝以及AMB工藝的特點，氮化硅陶瓷基板金屬化后電氣性能更好。AMB工藝不僅適用在氮化硅陶瓷基、還適應于氮化鋁陶瓷基板以及增韌氧化鋁陶瓷基板覆銅，銅層結合力都非常好。更多氮化硅陶瓷基板金屬化相關可以咨詢金瑞欣特種電路。