在功率電子領(lǐng)域，高性能陶瓷基板堪稱“芯片的骨骼”，其性能直接決定了IGBT、SiC等功率器件的可靠性與壽命。近年來(lái)，隨著新能源汽車(chē)、光伏、5G通信等產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，活性金屬釬焊AMB陶瓷覆銅基板因其卓越的散熱性、高結(jié)合強(qiáng)度和耐高溫性能，成為行業(yè)關(guān)鍵材料,下面由深圳金瑞欣小編來(lái)為大家講解一下：

AMB技術(shù)：陶瓷與金屬的“強(qiáng)力膠”

傳統(tǒng)DBC工藝通過(guò)高溫熔銅直接鍵合陶瓷，但界面強(qiáng)度不足。而AMB技術(shù)通過(guò)在銀銅釬料中添加鈦（Ti）等活性元素，在真空高溫下與陶瓷發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成高強(qiáng)度冶金結(jié)合。這種工藝使基板耐冷熱沖擊性能提升10倍以上，特別適合高功率、高溫度變化的嚴(yán)苛環(huán)境。

核心突破點(diǎn)：

活性釬料：Ti元素含量和氧含量控制是關(guān)鍵，國(guó)產(chǎn)Ag-Cu-Ti釬料已實(shí)現(xiàn)氧含量＜150ppm，媲美國(guó)際水平。

陶瓷選擇：氮化硅（Si?N?）因高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱成為主流，但成本較高；氧化鋁（Al?O?）和氮化鋁（AlN）也在特定場(chǎng)景應(yīng)用。

國(guó)產(chǎn)化破局，打破海外壟斷

長(zhǎng)期以來(lái)，AMB陶瓷基板市場(chǎng)被羅杰斯（美）、賀利氏（德）、京瓷（日）等巨頭壟斷。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)企業(yè)如浙江亞通新材成功研發(fā)高性能Ag-Cu-Ti釬料，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵材料自主可控；中瓷電子等企業(yè)則推動(dòng)AMB基板量產(chǎn)，逐步替代進(jìn)口。

應(yīng)用前景廣闊：

新能源汽車(chē)：SiC模塊需求激增，AMB基板成剛需。

5G基站：GaN射頻器件依賴AMB基板高效散熱。

智能電網(wǎng)：高壓IGBT模塊要求AMB的高耐壓特性。

未來(lái)挑戰(zhàn)與機(jī)遇

盡管?chē)?guó)產(chǎn)AMB技術(shù)已取得突破，但仍面臨成本高、Si?N?陶瓷依賴進(jìn)口等挑戰(zhàn)。未來(lái)，低溫釬焊、納米增強(qiáng)釬料等新技術(shù)有望進(jìn)一步提升性能，助力國(guó)產(chǎn)高端電子材料在全球市場(chǎng)占據(jù)更大份額。

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