DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備

DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備DPC 陶瓷基板具備高線路精準(zhǔn)度、高表面平整度、高絕緣及高導(dǎo)熱的特性，在半導(dǎo)體功率器件封裝領(lǐng)域迅速占據(jù)了重要的市場(chǎng)地位，廣泛應(yīng)用于大功率 LED、半導(dǎo)體激光器、 VCSEL等領(lǐng)域。直接鍍銅（...

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07 2023-06

“多才多藝”的氧化鋁陶瓷基板

陶瓷基板以其優(yōu)良的導(dǎo)熱性和氣密性，廣泛應(yīng)用于功率電子、電子封裝、混合微電子和多芯片模塊等領(lǐng)域。氧化鋁陶瓷具有原料來源豐富、價(jià)格低廉、機(jī)械強(qiáng)度和硬度較高、絕緣性能、耐熱沖擊性能和抗化學(xué)侵蝕性能良好、尺寸精度高、與金屬附著力好等一系列優(yōu)點(diǎn)，是一...

氧化鋁陶瓷基板

05 2023-06

IGBT模塊生產(chǎn)工藝流程及主要設(shè)備

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通...

IGBT模塊

31 2023-05

IGBT焊接層空洞的形成及解決方案

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)...

IGBT

29 2023-05

一文了解直接鍍銅（DPC）陶瓷基板

直接鍍銅陶瓷基板（Direct Plating Copper, DPC）是在陶瓷薄膜工藝加工基礎(chǔ)上發(fā)展起來的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板，采用濺鍍工藝于基板表面復(fù)合金屬層，并以電鍍和光刻工藝形成電路。

DPC陶瓷基板

24 2023-05

碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，在此背景下第三代半導(dǎo)體應(yīng)運(yùn)而生。SiC作為第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能，相比于前兩代半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高以及抗輻射...

碳化硅功率器件

22 2023-05

AMB/DBC陶瓷基板超聲SAM檢測(cè)

2022年全球陶瓷基板市場(chǎng)銷售額達(dá)到了375億美元，預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到2,563億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為26.0%。從產(chǎn)品類型方面來看，氮化硅陶瓷基板處于主導(dǎo)地位，2022年份額將達(dá)到90%。就應(yīng)用來看，汽車行業(yè)在2022年份額...

陶瓷基板