DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備

DPC陶瓷基板主要加工工藝流程和生產(chǎn)設(shè)備DPC 陶瓷基板具備高線路精準(zhǔn)度、高表面平整度、高絕緣及高導(dǎo)熱的特性，在半導(dǎo)體功率器件封裝領(lǐng)域迅速占據(jù)了重要的市場(chǎng)地位，廣泛應(yīng)用于大功率 LED、半導(dǎo)體激光器、 VCSEL等領(lǐng)域。直接鍍銅（...

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24 2022-08

IGBT陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

IGBT陶瓷基板的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用什么是IGBT？IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫，即絕緣柵雙極晶體管，由雙極結(jié)型晶體管（BJT）和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式...

IGBT陶瓷基板

24 2022-08

氮化硅陶瓷基板為何會(huì)成為第三代半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料

氮化硅陶瓷基板為何會(huì)成為第三代半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)封裝材料隨著國(guó)家對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的大力支持，以及第三代半導(dǎo)體科技行業(yè)的快速發(fā)展，氮化硅陶瓷覆銅基板成為第三代半導(dǎo)體器優(yōu)質(zhì)的封裝材料。今天小編就來(lái)分享一下，氮化硅陶瓷基板哪些優(yōu)勢(shì)能被第三代半導(dǎo)體選擇和...

氮化硅陶瓷基板

21 2022-06

氮化鋁陶瓷基板厚膜電阻制作研究

氮化鋁陶瓷基板厚膜電阻制作研究氮化鋁陶瓷基板制作厚膜電阻電阻率不同，阻值不同，性能也不同。今天小編要分享的是氮化鋁陶瓷基板厚膜電阻的制作研究。在AlN基板上，使用IKTS電阻漿料制作了4種方阻的厚膜電阻，確定了AlN基板用電阻的阻值與設(shè)計(jì)方...

氮化鋁陶瓷基板

17 2022-06

amb陶瓷覆銅板與第三代半導(dǎo)體

amb陶瓷覆銅板與第三代半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體的崛起與應(yīng)用，半導(dǎo)體器件逐漸向大功率、小型化、集成化、多功能等方向發(fā)展，對(duì)封裝性能也提出了更高要求。AMB陶瓷覆銅板吻合了第三代半導(dǎo)體的市場(chǎng)和性能要求。一，AMB陶瓷覆銅板的優(yōu)勢(shì) AMB陶瓷覆銅...

amb陶瓷覆銅板

14 2022-06

碳化硅陶瓷復(fù)合材料的特性以及應(yīng)用前景

碳化硅陶瓷復(fù)合材料的特性以及應(yīng)用前景碳化硅陶瓷基板材料具體不容易碎的特性，是先進(jìn)陶瓷的高強(qiáng)度、高硬度、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)于金屬材料和高分子材料。先進(jìn)陶瓷材料顯微結(jié)構(gòu)不均勻性和復(fù)雜性，存在氣孔相和玻璃相，從而決定了特殊力學(xué)性能和物理性能（電、...

碳化硅陶瓷

09 2022-06

高功率激光器封裝材料為何選用預(yù)鍍金錫焊料鎢銅熱沉

高功率激光器封裝材料為何選用預(yù)鍍金錫焊料鎢銅熱沉一， 半導(dǎo)體材料的性能要求決定了采用預(yù)鍍金錫焊料鎢銅熱沉解決封裝問(wèn)題半導(dǎo)體材料通常具有較低的熱膨脹系數(shù)，功率半導(dǎo)體芯片在工作時(shí)會(huì)有高的熱量散出。隨著芯片功率密度的提高，未來(lái)芯片的封裝對(duì)散熱提出...

金錫鎢銅熱沉